h1_key

当前位置:首页 >新闻资讯 > 产品资讯>英飞凌>Infineon英飞凌 TLF80511EJ V50 产品介绍

TLF80511EJ V50

现货,推荐

将输入电压调节至 40V 至 VQ,nom(5V,精度为 ±2%)。TLF80511EJ V50 适用于连接到电池的低电流系统,静态电流为 38µA。压差:100mA输出以下为100mV。扩展工作范围:3.3V。非常适合汽车系统。使用 1µF 输出电容器进行快速调节。

Infineon英飞凌 TLF80511EJ V50 产品介绍
2026-04-14 0次

产品详情


  • 非常宽的输入电压范围
  • 支持电压启动应用
  • 非常低压差

特性


  • 输出电压 5 V
  • 输出电压精度 ± 2 %
  • 输出电流高达 400 mA
  • 超低电流消耗 38 µA
  • 低压差 V:100 mV @ 100 mA O/P I
  • 扩展工作范围从 3.3 V 开始
  • 小型输出电容 1 µF
  • 输出电流限制
  • 过温关断
  • 适用于 ATV 电子设备
  • 宽温度范围:-40 °C 至 150 °C

应用


汽车车身控制模块 (BCM), 电动汽车牵引逆变器, 用于电动汽车的高压 DC-DC 转换器, DIN 导轨电源解决方案

参数


类型

描述

保持

No

准确性

2 %

压降电压

100 mV

启用 (=抑制)

No

基本产品

TLF80511xx

复位

No

工作温度 范围

-40 °C 至 150 °C

工作电压 范围

3.3 V 至 45 V

状态输出

No

电源故障

No

电源正常

No

目前计划的可用性至少到

2038

看门狗

No

系列

OPTIREG™ linear High Performance

认证标准

Automotive

调节器类型

High Performance

输出电压类型

5.0 V

最高 输出电流

400 mA

过压保护

No

静态电流

38 µA

预警

No

  • Infineon英飞凌 IMW65R010M2H 产品介绍
  • 采用 TO-247-3 封装的 CoolSiC ™ MOSFET 650 V、10 mΩ G2 以第一代技术的优势为基础,能够加速系统设计,从而实现成本更优化、更高效、更紧凑、更可靠的解决方案。第二代在硬开关操作和软开关拓扑的关键品质因数方面都有显著改进,适用于所有常见的 AC-DC、DC-DC 和 DC-AC 级组合。
    2026-04-14 211次
  • Infineon英飞凌 AIMBG75R050M2H 产品介绍
  • CoolSiC™ MOSFET 750 V 利用了英飞凌 20 多年的 SiC 经验。它在性能、可靠性和稳健性方面具有优势,具有栅极驱动灵活性,可实现简化且高效的系统设计,从而实现最高效率和功率密度。 创新的顶部冷却封装进一步增强了CoolSiC™ 750 V 的优势,提供了更高的密度、优化的功率回路设计以及更少的系统和组装成本。
    2026-04-14 273次
  • Infineon英飞凌 BAT15-02ELS 产品介绍
  • 这款英飞凌射频肖特基二极管是一款硅低势垒 N 型器件,片上集成有保护环,用于过压保护。其低势垒高度、低正向电压和低结电容使 BAT15-02ELS 成为频率高达 12 GHz 的应用中混频器和检测器功能的合适选择。
    2026-04-14 265次
  • Infineon英飞凌 IMW120R060M1H 产品介绍
  • CoolSiC ™ MOSFET 分立器件 1200 V、60 mΩ G1 采用 TO247-3 封装,基于最先进的沟槽半导体工艺构建,经过优化,兼具性能和可靠性。这些包括 SiC 开关中看到的最低栅极电荷和器件电容水平、反并联二极管无反向恢复损耗、与温度无关的低开关损耗和无阈值导通特性。
    2026-04-14 325次
  • Infineon英飞凌 IMCQ120R078M2H 产品介绍
  • CoolSiC ™ MOSFET 分立器件 1200 V、78 mΩ G2 采用顶部冷却 Q-DPAK 封装,专为广泛用于工业应用而设计。Q-DPAK封装解决方案为客户提供了出色的热性能、更简便的组装和更低的系统成本。顶部冷却的 Q-DPAK 单开关开创了冷却、能源效率、设计灵活性和性能的新时代。
    2026-04-14 302次
    10s
    温馨提示:
    订单商品问题请移至我的售后服务提交售后申请,其他需投诉问题可移至我的投诉提交,我们将在第一时间给您答复
    返回顶部