h1_key

当前位置:首页 >新闻资讯 > 产品资讯>英飞凌>Infineon英飞凌 TLS810D1LD V50 产品介绍

TLS810D1LD V50

现货,推荐

该产品采用新型 3.3mm * 3.3mm 无引线汽车封装 (TSON10),并具有改进的光学检测功能。该稳压器的输入电压范围为 2.75V 至 42V,静态电流仅为 9μA,非常适合汽车或任何其他永久连接到电池的供电系统。TLS810D1LDV50 提供 5.0V 输出电压版本,精度为 2%,输出电流能力高达 100mA。输出端仅需一个1μF的小陶瓷电容器即可稳定。该设备可以通过启用功能打开和关闭,从而使电流消耗低于 1μA。TLS810D1LDV50 的工作范围扩展至低至 2.75V,也适合为启动状态下运行的汽车系统供电。TLS810D1LDV50 包括输出电流限制和过温关断等内部保护功能。输出电压由复位功能监控,包括欠压复位和上电时延迟复位释放。

Infineon英飞凌 TLS810D1LD V50 产品介绍
2026-04-14 0次

产品详情


  • 专为恶劣的汽车环境而设计:出色的瞬态稳定性 => 更低的输入滤波成本
  • 成本优化的陶瓷输出电容 => 1µF
  • 适用于启动(停止和启动)=> 2.75V 输入和极低压差
  • 能效:超低静态电流,节省待机电池资源

特性


  • 宽输入电压范围:2.75V 至 42 V
  • 100 mA 电流能力
  • 固定输出电压:5V
  • 超低静态电流:9μA
  • 低压差电压:200 mV @ 100mA
  • 使能功能
  • 极低关断电流:< 1μA
  • 复位功能
  • 使用 1μF 输出电容即可稳定工作
  • 使用铝、钽或陶瓷电容器即可稳定工作
  • 输出电流限制保护
  • 过温保护
  • PG-TSON-10 封装
  • 宽温度范围:-40°C < T j < 150°C
  • 采用 PG-DSO8-EP 封装
  • 绿色产品(符合 RoHS 标准)
  • 符合 AEC 认证

应用


底盘控制与安全, 电动制动助力器, 电动汽车充电

参数


类型

描述

保持

No

准确性

2 %

压降电压

200 mV

启用 (=抑制)

Yes

基本产品

TLS810D1xx

复位

Yes

工作温度 范围

-40 °C 至 150 °C

工作电压 范围

2.75 V 至 42 V

状态输出

No

电源故障

No

电源正常

No

目前计划的可用性至少到

2038

看门狗

No

系列

OPTIREG™ linear High Performance

认证标准

Automotive

调节器类型

High Performance

输出电压类型

5.0 V

最高 输出电流

100 mA

过压保护

No

静态电流

9 µA

预警

No

  • Infineon英飞凌 IMW65R010M2H 产品介绍
  • 采用 TO-247-3 封装的 CoolSiC ™ MOSFET 650 V、10 mΩ G2 以第一代技术的优势为基础,能够加速系统设计,从而实现成本更优化、更高效、更紧凑、更可靠的解决方案。第二代在硬开关操作和软开关拓扑的关键品质因数方面都有显著改进,适用于所有常见的 AC-DC、DC-DC 和 DC-AC 级组合。
    2026-04-14 211次
  • Infineon英飞凌 AIMBG75R050M2H 产品介绍
  • CoolSiC™ MOSFET 750 V 利用了英飞凌 20 多年的 SiC 经验。它在性能、可靠性和稳健性方面具有优势,具有栅极驱动灵活性,可实现简化且高效的系统设计,从而实现最高效率和功率密度。 创新的顶部冷却封装进一步增强了CoolSiC™ 750 V 的优势,提供了更高的密度、优化的功率回路设计以及更少的系统和组装成本。
    2026-04-14 277次
  • Infineon英飞凌 BAT15-02ELS 产品介绍
  • 这款英飞凌射频肖特基二极管是一款硅低势垒 N 型器件,片上集成有保护环,用于过压保护。其低势垒高度、低正向电压和低结电容使 BAT15-02ELS 成为频率高达 12 GHz 的应用中混频器和检测器功能的合适选择。
    2026-04-14 265次
  • Infineon英飞凌 IMW120R060M1H 产品介绍
  • CoolSiC ™ MOSFET 分立器件 1200 V、60 mΩ G1 采用 TO247-3 封装,基于最先进的沟槽半导体工艺构建,经过优化,兼具性能和可靠性。这些包括 SiC 开关中看到的最低栅极电荷和器件电容水平、反并联二极管无反向恢复损耗、与温度无关的低开关损耗和无阈值导通特性。
    2026-04-14 331次
  • Infineon英飞凌 IMCQ120R078M2H 产品介绍
  • CoolSiC ™ MOSFET 分立器件 1200 V、78 mΩ G2 采用顶部冷却 Q-DPAK 封装,专为广泛用于工业应用而设计。Q-DPAK封装解决方案为客户提供了出色的热性能、更简便的组装和更低的系统成本。顶部冷却的 Q-DPAK 单开关开创了冷却、能源效率、设计灵活性和性能的新时代。
    2026-04-14 304次
    10s
    温馨提示:
    订单商品问题请移至我的售后服务提交售后申请,其他需投诉问题可移至我的投诉提交,我们将在第一时间给您答复
    返回顶部