h1_key

当前位置:首页 >新闻资讯 > 产品资讯>英飞凌>Infineon英飞凌 TLE9263-3BQX 产品介绍

TLE9263-3BQX

现货,推荐

适用于汽车应用的 CAN-LIN SBC。包括用于微控制器 (5V) 和传感器 (5V) 的 LDO、PNP 晶体管驱动器 (5V/3.3V)、HS-CAN收发器(CAN FD,部分网络)、LIN收发器。高端开关,16 位 SPI。看门狗、故障输出、欠压复位。电池应用程序的低功耗模式。通过总线、输入、循环唤醒。专为汽车条件而设计。

Infineon英飞凌 TLE9263-3BQX 产品介绍
2026-04-14 0次

产品详情


  • 通过低组件数量和小型PCB封装减少系统成本
  • 用于板内和板外电源的低电压降稳压器
  • 宽范围电源输入电压和温度范围
  • 数量灵活的集成 LIN 收发器
  • 极低静态电流模式
  • 超小型封装,支持 AOI
  • 出色的电磁兼容性和静电防护性能,满足主流汽车OEM要求

特性


  • 停止和睡眠模式下的低电流
  • SBC 正常模式下的周期性循环唤醒
  • SBC 正常模式下的周期性循环感测
  • 低压差稳压器 5V,250mA
  • 低压差稳压器 5V,100mA
  • 低压差稳压器,外部 PNP
  • 高速 CAN 收发器:ISO 11898-2
  • 带 TXD 超时的 LIN 收发器
  • LIN、CAN 的硬件要求
  • 四个高侧输出,典型值 7Ω
  • 专用高端电源引脚
  • 2 个 GPIO:可配置 I/O,高电压

应用


智能汽车解决方案, 智能驾驶域控制器, 汽车车身控制模块 (BCM), 门控模块

参数


类型

描述

Compatible Microcontrollers

TRAVEO™ T1G, T2G, AURIX™ TC2x, TC3x, PSOC™ 4x

最高 传输速率

5 MBit/s

唤醒输入

Wake Pins, CAN, LIN

待机电流

44 μA (typ) Stop Mode

收发器

1 x CAN FD ISO 11898 - 2, 2 x LIN2.2 / J2602

电压调节器输出 ((VCC1))

5V / 250 mA

电压调节器输出 ((VCC2))

5V / 100 mA

电压调节器输出 ((VCC3))

5V or 3.3V / up to 400 mA

目前计划的可用性至少到

2039

系列

OPTIREG™ Mid-Range+ SBC

输出驱动器

4 x High-Side Switch 150 mA

静态电流

15 μA (typ) Sleep Mode

  • Infineon英飞凌 IMW65R010M2H 产品介绍
  • 采用 TO-247-3 封装的 CoolSiC ™ MOSFET 650 V、10 mΩ G2 以第一代技术的优势为基础,能够加速系统设计,从而实现成本更优化、更高效、更紧凑、更可靠的解决方案。第二代在硬开关操作和软开关拓扑的关键品质因数方面都有显著改进,适用于所有常见的 AC-DC、DC-DC 和 DC-AC 级组合。
    2026-04-14 211次
  • Infineon英飞凌 AIMBG75R050M2H 产品介绍
  • CoolSiC™ MOSFET 750 V 利用了英飞凌 20 多年的 SiC 经验。它在性能、可靠性和稳健性方面具有优势,具有栅极驱动灵活性,可实现简化且高效的系统设计,从而实现最高效率和功率密度。 创新的顶部冷却封装进一步增强了CoolSiC™ 750 V 的优势,提供了更高的密度、优化的功率回路设计以及更少的系统和组装成本。
    2026-04-14 274次
  • Infineon英飞凌 BAT15-02ELS 产品介绍
  • 这款英飞凌射频肖特基二极管是一款硅低势垒 N 型器件,片上集成有保护环,用于过压保护。其低势垒高度、低正向电压和低结电容使 BAT15-02ELS 成为频率高达 12 GHz 的应用中混频器和检测器功能的合适选择。
    2026-04-14 265次
  • Infineon英飞凌 IMW120R060M1H 产品介绍
  • CoolSiC ™ MOSFET 分立器件 1200 V、60 mΩ G1 采用 TO247-3 封装,基于最先进的沟槽半导体工艺构建,经过优化,兼具性能和可靠性。这些包括 SiC 开关中看到的最低栅极电荷和器件电容水平、反并联二极管无反向恢复损耗、与温度无关的低开关损耗和无阈值导通特性。
    2026-04-14 326次
  • Infineon英飞凌 IMCQ120R078M2H 产品介绍
  • CoolSiC ™ MOSFET 分立器件 1200 V、78 mΩ G2 采用顶部冷却 Q-DPAK 封装,专为广泛用于工业应用而设计。Q-DPAK封装解决方案为客户提供了出色的热性能、更简便的组装和更低的系统成本。顶部冷却的 Q-DPAK 单开关开创了冷却、能源效率、设计灵活性和性能的新时代。
    2026-04-14 303次
    10s
    温馨提示:
    订单商品问题请移至我的售后服务提交售后申请,其他需投诉问题可移至我的投诉提交,我们将在第一时间给您答复
    返回顶部