Infineon英飞凌_2ED4820-EM_产品介绍- 万联芯城

Infineon英飞凌 2ED4820-EM 产品介绍

2026-04-14 0次

产品详情

支持背靠背 MOSFET 拓扑
SAFESTATE I/P->如果 µC 发生故障，则进入安全状态模式
双向高/低侧模拟 I 感测 I/O
稳健的 Vbat->105 V& Vsource 与 Vbat-90 V
PRO-SIL^TM ISO 26262 支持积分器

特性

Extended supply voltage range: 20 - 70 V
2 high-side gate driver outputs
Low supply current in sleep mode < 5 µA
Device control, diagnostic via SPI
Configurable protections
Configurable overvoltage protection
Gate under-voltage lockout (VGS)
Ground loss detection
AEC-Q100 qualification
Lead-Free, Halogen Free, RoHS compliant
Back2Back MOSFET support
SPI Interface

应用

电动助力转向 (EPS), 汽车48V电池管理系统(BMS), 轻型电动车解决方案

参数

类型	描述
关断传播延迟	3 µs
开通传播延迟	3 µs
电压等级	105 V
系列	EiceDRIVER™ APD
认证标准	Automotive
输入Vcc 范围	20 V 至 70 V
输出电流 (Source)	0.3 A
输出电流 (Sink)	1 A
配置	High-side
隔离类型	Non-isolated

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2ED4820-EM

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