Infineon英飞凌_TLE6220GP_产品介绍- 万联芯城

Infineon英飞凌 TLE6220GP 产品介绍

2026-04-14 0次

特性

短路保护
过热保护
过压保护
8 位串行数据输入和诊断输出（SPI 协议）
四个通道直接并行控制
用于 PWM 应用
可与其他四通道开关级联
低静态电流
µC 兼容输入
静电放电 (ESD) 保护
绿色产品（符合 RoHS 标准）
符合 AEC 标准

参数

类型	描述
ID(lim)(multiple)	4 x 3.0 A
RDS (on) (多个)	4 x 0.7 (typ @ 150°C)
最高 toff	10 µs
最高 ton	10 µs
VDD	5.0 V
VDS(CL) 范围	45 V 至 60 V
备注	inductive and resistive loads (e.g. Solenoids, Injectors, Valves, Relays)
工作温度范围	-40 °C 至 150 °C
引脚数量	20 Pins
散热等级	Heatslug down
目前计划的可用性至少到	n.a
过电流保护	Limitation
通道数	4
高侧/低侧	0/4

MDD辰达半导体功率TVS新升级：封装不变，功率倍增上一篇下一篇 TI德州仪器 AD724 产品介绍

最新文章

Infineon英飞凌 IMW65R010M2H 产品介绍

采用 TO-247-3 封装的 CoolSiC ™ MOSFET 650 V、10 mΩ G2 以第一代技术的优势为基础，能够加速系统设计，从而实现成本更优化、更高效、更紧凑、更可靠的解决方案。第二代在硬开关操作和软开关拓扑的关键品质因数方面都有显著改进，适用于所有常见的 AC-DC、DC-DC 和 DC-AC 级组合。

2026-04-14 211次

Infineon英飞凌 AIMBG75R050M2H 产品介绍

CoolSiC™ MOSFET 750 V 利用了英飞凌 20 多年的 SiC 经验。它在性能、可靠性和稳健性方面具有优势，具有栅极驱动灵活性，可实现简化且高效的系统设计，从而实现最高效率和功率密度。创新的顶部冷却封装进一步增强了CoolSiC™ 750 V 的优势，提供了更高的密度、优化的功率回路设计以及更少的系统和组装成本。

2026-04-14 277次

Infineon英飞凌 BAT15-02ELS 产品介绍

这款英飞凌射频肖特基二极管是一款硅低势垒 N 型器件，片上集成有保护环，用于过压保护。其低势垒高度、低正向电压和低结电容使 BAT15-02ELS 成为频率高达 12 GHz 的应用中混频器和检测器功能的合适选择。

2026-04-14 265次

Infineon英飞凌 IMW120R060M1H 产品介绍

CoolSiC ™ MOSFET 分立器件 1200 V、60 mΩ G1 采用 TO247-3 封装，基于最先进的沟槽半导体工艺构建，经过优化，兼具性能和可靠性。这些包括 SiC 开关中看到的最低栅极电荷和器件电容水平、反并联二极管无反向恢复损耗、与温度无关的低开关损耗和无阈值导通特性。

2026-04-14 329次

Infineon英飞凌 IMCQ120R078M2H 产品介绍

CoolSiC ™ MOSFET 分立器件 1200 V、78 mΩ G2 采用顶部冷却 Q-DPAK 封装，专为广泛用于工业应用而设计。Q-DPAK封装解决方案为客户提供了出色的热性能、更简便的组装和更低的系统成本。顶部冷却的 Q-DPAK 单开关开创了冷却、能源效率、设计灵活性和性能的新时代。

2026-04-14 304次

更多资讯

* 我的问题/建议：
* 联系电话：
上传图片（选填）：	请您提交2M以内的jpg,gif,png格式文件
投诉订单号（选填）：

h1_key

TLE6220GP

该器件受嵌入式保护功能的保护，专为汽车和工业应用而设计。对于 PWM 应用（喷射线圈），输出级可以直接并行控制，或者通过 SPI 进行串行控制。因此，TLE 6220 GP 特别适合发动机管理和动力系统。

特性

参数

4000-306-326

h1_key

TLE6220GP

该器件受嵌入式保护功能的保护，专为汽车和工业应用而设计。 对于 PWM 应用（喷射线圈），输出级可以直接并行控制，或者通过 SPI 进行串行控制。因此，TLE 6220 GP 特别适合发动机管理和动力系统。

特性

参数

4000-306-326

该器件受嵌入式保护功能的保护，专为汽车和工业应用而设计。对于 PWM 应用（喷射线圈），输出级可以直接并行控制，或者通过 SPI 进行串行控制。因此，TLE 6220 GP 特别适合发动机管理和动力系统。