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BTS3035TF

现货,推荐

功率晶体管由N沟道垂直功率MOSFET构成。该设备是单片集成的。BTS3035TF 符合汽车标准,并针对 12 V 汽车应用进行了优化。

Infineon英飞凌 BTS3035TF 产品介绍
2026-04-14 0次

特性


  • Single channel device
  • Low output leakage current in OFF state
  • Electrostatic discharge protection (ESD)
  • Embedded protection functions
  • Green Product (RoHS compliant)
  • AEC Qualified

应用


智能驾驶域控制器, 汽车车身电子与电力分配, 汽车车身控制模块 (BCM), 汽车暖通空调控制模块

参数


类型

描述

EAS/雪崩能量

105 mJ

EAS (Energy capability)

105 mJ

最低 ID(lim)

20 A

ID

5 A

最低 IL(LIM)

20 A

IL(nom)

5 A

IL (Short Circuit Current)

20 A

最高 RDS (on) (@ Tj = 150°C)

70 mΩ

RDS (on) (@ Tj = 25°C)

30 mΩ

最高 toff (Turn OFF time)

210 µs

最高 ton (Turn ON time)

115 µs

最高 VDS

40 V

保护策略

Auto-restart

分类

ISO 26262-ready

安装

SMT

工作温度 范围

-40 °C 至 150 °C

控制接口

Discrete

最高 推荐工作电压

40 V

每个通道的额定负载电流

5 A

目前计划的可用性至少到

2039

系列

HITFET™ + 12V

认证

ISO 26262-ready

诊断

-

负载电流

5 A

通道数

1

  • Infineon英飞凌 IMW65R010M2H 产品介绍
  • 采用 TO-247-3 封装的 CoolSiC ™ MOSFET 650 V、10 mΩ G2 以第一代技术的优势为基础,能够加速系统设计,从而实现成本更优化、更高效、更紧凑、更可靠的解决方案。第二代在硬开关操作和软开关拓扑的关键品质因数方面都有显著改进,适用于所有常见的 AC-DC、DC-DC 和 DC-AC 级组合。
    2026-04-14 211次
  • Infineon英飞凌 AIMBG75R050M2H 产品介绍
  • CoolSiC™ MOSFET 750 V 利用了英飞凌 20 多年的 SiC 经验。它在性能、可靠性和稳健性方面具有优势,具有栅极驱动灵活性,可实现简化且高效的系统设计,从而实现最高效率和功率密度。 创新的顶部冷却封装进一步增强了CoolSiC™ 750 V 的优势,提供了更高的密度、优化的功率回路设计以及更少的系统和组装成本。
    2026-04-14 277次
  • Infineon英飞凌 BAT15-02ELS 产品介绍
  • 这款英飞凌射频肖特基二极管是一款硅低势垒 N 型器件,片上集成有保护环,用于过压保护。其低势垒高度、低正向电压和低结电容使 BAT15-02ELS 成为频率高达 12 GHz 的应用中混频器和检测器功能的合适选择。
    2026-04-14 265次
  • Infineon英飞凌 IMW120R060M1H 产品介绍
  • CoolSiC ™ MOSFET 分立器件 1200 V、60 mΩ G1 采用 TO247-3 封装,基于最先进的沟槽半导体工艺构建,经过优化,兼具性能和可靠性。这些包括 SiC 开关中看到的最低栅极电荷和器件电容水平、反并联二极管无反向恢复损耗、与温度无关的低开关损耗和无阈值导通特性。
    2026-04-14 331次
  • Infineon英飞凌 IMCQ120R078M2H 产品介绍
  • CoolSiC ™ MOSFET 分立器件 1200 V、78 mΩ G2 采用顶部冷却 Q-DPAK 封装,专为广泛用于工业应用而设计。Q-DPAK封装解决方案为客户提供了出色的热性能、更简便的组装和更低的系统成本。顶部冷却的 Q-DPAK 单开关开创了冷却、能源效率、设计灵活性和性能的新时代。
    2026-04-14 304次
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