Infineon英飞凌_CHIP L5452B(ES)_产品介绍- 万联芯城

Infineon英飞凌 CHIP L5452B(ES) 产品介绍

2026-04-14 0次

应用

空间功率应用

参数

类型	描述
ESD等级	class 1C
最高 ID (@25°C)	8 A
IDpuls	8 A
最高 Ptot	75 W
QG	23 nC
最高 RDS (on) (@25°C)	450 Ω
最高 TID	100 Krad(Si)
VDS	650 V
VGS	+/-20 V
产品组	ESA qualified rad hard power MOSFET
备注	Chip of BUY65CS08J-01 (ES)
封装	Die
芯片尺寸	3
语言	SPICE

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