Infineon英飞凌_BUY65CS08J-01(ES)_产品介绍- 万联芯城

Infineon英飞凌 BUY65CS08J-01(ES) 产品介绍

2026-04-14 0次

特性

N 沟道
低 R_DS(on)
单粒子效应 (SEE) 加固
LET 90，范围：122μm (Pb) VGS = -10V，VDS = 650V，已获批准 VGS = -12V，VDS = 350V；
LET 62，范围：72μm (Xe) VGS = -15V，VDS = 650V，VGS = -20V，VDS = 350V 已获批准
总电离剂量 (TID) 加固 100 kRad，已获批准（R 级）
全密封

应用

空间功率应用

参数

类型	描述
ESD等级	class 1C
最高 ID (@25°C)	8 A
IDpuls	24 A
最高 Ptot	75 W
QG	23 nC
QPL部件号	5205/033/01
最高 RDS (on) (@25°C)	0.45 Ω
最高 TID	100 Krad(Si)
VBRDSS	650 V
VDS	650 V
最高 VF	1.2 V
VGS	+/-20 V
可选TID等级 (kRad(si))	100
备注	Package SMD05
封装	SMD-0.5
极性	N
生成	PowerMOS
芯片尺寸	3
认证标准	ESA
语言	SPICE

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BUY65CS08J-01(ES)

抗辐射电源开关 650V/8A

特性

应用

参数

4000-306-326