Infineon英飞凌 BUY06CS80A-01(ES) 产品介绍
2026-04-14
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特性
- N 沟道
- 低 RDS(on)
- 单粒子效应 (SEE) 加固
LET 95,范围:86μm (Pb) VGS = -10V,VDS = 55V,已获批准 VGS = -15V,VDS = 30V;
LET 62,范围:73μm (Xe) VGS = -20V,VDS = 60V,VGS = -25V,VDS = 30V 已获批准 - 总电离剂量 (TID) 加固 100 kRad,已获批准(R 级)
- 全密封
应用
空间功率应用
参数
类型 | 描述 |
ESD等级 | class 2 |
最高 ID (@25°C) | 80 A |
IDpuls | 300 A |
最高 Ptot | 250 W |
QG | 175 nC |
QPL部件号 | 5205/032/01 |
最高 RDS (on) (@25°C) | 0.0065 Ω |
最高 TID | 100 Krad(Si) |
VBRDSS | 60 V |
VDS | 60 V |
最高 VF | 1.3 V |
VGS | +/-20 V |
产品类别 | Rad tol MOSFETs |
可选TID等级 (kRad(si)) | 100 |
备注 | Package SMD2 |
封装 | SMD-2 |
极性 | N |
生成 | PowerMOS |
芯片尺寸 | 3 |
认证标准 | ESA |
语言 | SPICE |



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