Infineon英飞凌_BGA5M1BN6_产品介绍- 万联芯城

Infineon英飞凌 BGA5M1BN6 产品介绍

2026-04-14 0次

特性

插入功率增益：19.3 dB
旁路模式下的插入损耗：4.7 dB
低噪声系数：0.65 dB
低电流消耗：9.5mA
工作频率：1805 - 2200 MHz
多态控制：旁路和高增益模式
电源电压：1.5 V 至 3.6 V
超小型 TSNP-6-2 和 TSNP-6-10 无引线封装（尺寸：0.7 x 1.1 mm²）
B9HF 硅锗技术
RF 输出内部匹配至 50 Ohm
外部元件数量少
2kV HBM ESD 保护（包括AI 引脚）
无铅（符合 RoHS 标准）封装

应用

汽车远程信息处理控制单元 (TCU), 移动设备和智能手机解决方案

参数

类型	描述
I	2.8 mA
IIP3	-7 dBm
NF	0.65 dB
P-1dB (in)	-16 dBm
VCC 操作范围	1.5 V 至 3.6 V
增益	19.4 dB
频率	1805 - 2200 MHz

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BGA5M1BN6

特性

应用

参数

4000-306-326