Infineon英飞凌_BGA8V1BN6_产品介绍- 万联芯城

Infineon英飞凌 BGA8V1BN6 产品介绍

2026-04-14 0次

特性

插入功率增益：15.0 dB
旁路模式下的插入损耗：5.3 dB
低噪声系数：1.2dB
低电流消耗：4.2mA
工作频率：3.3 - 3.8 GHz
多态控制：关闭、旁路和高增益模式
电源电压：1.6 V 至 3.1 V
超小型 TSNP-6-2 无铅封装（占用空间：0.7 x 1.1 mm2）
B9HF 硅锗技术
RF 输入和 RF 输出内部匹配至 50 Ohm
无需外部 SMD 元件
2kV HBM ESD 保护（包括 AI 引脚）
无铅（符合 RoHS 标准）封装

参数

类型	描述
I	4.2 mA
IIP3	-3 dBm
NF	1.2 dB
P-1dB (in)	-15 dBm
VCC 操作范围	1.6 V 至 3.1 V
增益	15 dB
频率	3300 - 3800 MHz

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BGA8V1BN6

特性

参数

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