Infineon英飞凌_BGA729N6_产品介绍- 万联芯城

Infineon英飞凌 BGA729N6 产品介绍

2026-04-14 0次

特性

插入功率增益：16.3 dB
旁路模式下的插入损耗：-4.0 dB
低噪声系数：1.1 dB / 高增益/旁路模式下 4.3 dB
低电流消耗：6.0 mA
关机功能
工作频率：70 -1000 MHz
三态控制：关闭、旁路和高增益模式
电源电压：1.5 V 至 3.3 V
超小型 TSNP-6-2 无引线封装（尺寸：0.7 x 1.1 mm2）
B7HF 硅锗技术
无需外部匹配电感
射频输入和输出内部匹配至 50 Ω
仅需 2 个外部 SMD 元件
2kV HBM ESD 保护（包括 AI 引脚）
无铅（符合 RoHS 标准）封装

应用

移动设备和智能手机解决方案

参数

类型	描述
I	6.3 mA
IIP3	-6 dBm
NF	1.05 dB
P-1dB (in)	-15
VCC 操作范围	1.5 V 至 3.3 V
增益	16.3 dB
频率	70 - 1000 MHz

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BGA729N6

特性

应用

参数

4000-306-326