Infineon英飞凌_BGA7H1BN6_产品介绍- 万联芯城

Infineon英飞凌 BGA7H1BN6 产品介绍

2026-04-14 0次

特性

插入功率增益：12.3 dB
低噪声系数：0.85 dB
低电流消耗：4.3 mA
旁路模式下的插入损耗：-3.1 dB
工作频率：1805 - 2690 MHz
双态控制：旁路模式和高增益模式
电源电压：1.5 V 至 3.6 V
数字开/关开关（1V 逻辑高电平）
超小型 TSNP-6-2 无铅封装（尺寸：0.7 x 1.1 mm2）
B7HF 硅锗技术
射频输出内部匹配至 50 Ω
仅需 1 个外部 SMD 元件
无铅（符合 RoHS 标准）封装

应用

移动设备和智能手机解决方案, 消费类可穿戴设备

参数

类型	描述
I	4.3 mA
IIP3	2 dBm
NF	0.85 dB
P-1dB (in)	-3 dBm
VCC 操作范围	1.5 V 至 3.6 V
增益	12.3 dB
频率	1805-2200 MHz

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BGA7H1BN6

BGA7H1BN6 是用于 LTE 的前端低噪声放大器，其覆盖频率范围为 1805 MHz 至 2690 Mhz，工作电压为 1.5 V 至 3.3 V。该器件具有单线双态控制（旁路和高增益模式），可通过关闭 Vcc 来启用关闭状态

特性

应用

参数

4000-306-326