Infineon英飞凌_BGA7H1N6_产品介绍- 万联芯城

Infineon英飞凌 BGA7H1N6 产品介绍

2026-04-14 0次

特性

插入功率增益：12.5 dB
低噪声系数：0.60 dB
低电流消耗：4.7 mA
工作频率：2300 - 2690 MHz
电源电压：1.5 V 至 3.3 V
数字开/关开关（1V 逻辑高电平）
超小型 TSNP-6-2 无铅封装（占用空间：0.7 x 1.1 mm2）
B7HF 硅锗技术
射频输出内部匹配至 50 Ω
仅需 1 个外部 SMD 元件
2kV HBM ESD 保护（包括 AI 引脚）
无铅（符合 RoHS 标准）封装

应用

汽车远程信息处理控制单元 (TCU), 移动设备和智能手机解决方案

参数

类型	描述
I	4.8 mA
IIP3	6 dBm
NF	0.65 dB
P-1dB (in)	-1 dBm
VCC 操作范围	1.5 V 至 3.3 V
增益	12.5 dB
频率	2300 - 2690 MHz

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BGA7H1N6

用于LTE的硅锗低噪声放大器

特性

应用

参数

4000-306-326