Infineon英飞凌_BAR67-02V_产品介绍- 万联芯城

Infineon英飞凌 BAR67-02V 产品介绍

2026-04-14 0次

特性

适用于低损耗射频开关和衰减器
在频率高于 1 GHz 时，零伏反向偏置下的电容非常低（典型值）。0.25 pF)
低正向电阻（典型值）1.5 Ω @ 5mA）
低谐波
无铅（符合 RoHS 标准）封装

参数

类型	描述
C @VR=0V	0.35 pF
最高 IF	200 mA
RF	1 Ω
trr	700 ns
最高 VR	150 V
配置	Single

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BAR67-02V

硅PIN二极管

特性

参数

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