Infineon英飞凌_BGA715N7_产品介绍- 万联芯城

Infineon英飞凌 BGA715N7 产品介绍

2026-04-14 0次

特性

高增益：20 dB
低噪声系数：0.7 dB
低电流消耗：3.3 mA
电源电压：1.5 V 至 3.3 V
高输入压缩点：-15.5 dBm（1.8 V 电源电压）
高输入第三截取点：-7 dBm（1.8 V 电源电压）
B7HFM 硅锗技术
RF 输出内部匹配至 50 Ω
外部元件数量少
2kV HBM ESD 保护（包括 AI 引脚）
TSNP-7-1/TSNP-7-2 无铅封装
湿度敏感度等级：MSL 1
无铅（符合 RoHS 标准）封装

参数

类型	描述
ICC	3 mA
IIP3	-5 dBm
NF	0.75 dB
P-1dB (in)	-15.5
增益	20 dB
频率	1550 - 1615 MHz

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BGA715N7

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