Infineon英飞凌_BAT15-099_产品介绍- 万联芯城

Infineon英飞凌 BAT15-099 产品介绍

2026-04-14 0次

特性

低电感 Ls = 2 nH（典型值）
低电容 C = 0.29 pF（典型值）@1 MHz
行业标准 SOT143 封装（2.9 毫米 x 2.4 毫米 x 1 毫米）
无铅（符合 RoHS 标准）和无卤素

应用

消费类电子产品

参数

类型	描述
C @VR=0V	0.29 pF
最高 IF	110 mA
最高 VF	0.32 V
VF	0.25 V
最高 VR	4 V
配置	Anti-parallel pair

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BAT15-099

这款英飞凌射频肖特基二极管是硅低势垒 N 型器件，片上带有集成保护环，用于过压保护。其低势垒高度、低正向电压和低结电容使 BAT15-099 成为频率高达 12 GHz 的应用中混频器和检测器功能的合适选择。

特性

应用

参数

4000-306-326