Infineon英飞凌 BAT62 产品介绍
2026-04-14
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特性
- 适用于高达 GHz 频率探测器的低势垒二极管
- 无铅(符合 RoHS 标准)封装
参数
类型 | 描述 |
C @VR=0V | 0.41 pF |
最高 IF | 20 mA |
VF | 0.4 V |
最高 VF | 1000 mV |
最高 VR | 40 V |
配置 | Reverse anti-parallel pair |



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