Infineon英飞凌_BF999_产品介绍- 万联芯城

Infineon英飞凌 BF999 产品介绍

2026-04-14 0次

特性

适用于高达 300 MHz 的高频级，尤其适用于 FM 应用
无铅（符合 RoHS 标准）封装

参数

类型	描述
Cdss	1 pF
Cg1ss	2.5 pF
F	1 dB
gfs	16 mS
Gp	25 dB
最高 ID	30 mA
最高 Ptot	200 mW
功率增益Gp	27 dB @45 MHz
噪音图F	2.10 dB @45 MHz
封装	SOT23
最大漏源电压Vds	20 V
最大连续漏极电流ID	30 mA
栅极输入电容Cg1ss	2.5 pF
正向转导率gfs	16 mS
输出电容Cdss	0.9 pF

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BF999

硅N沟道MOSFET三极管

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4000-306-326