Infineon英飞凌_BFR35AP_产品介绍- 万联芯城

Infineon英飞凌 BFR35AP 产品介绍

2026-04-14 0次

特性

适用于集电极电流为 0.5mA 至 20 mA 时频率高达 2GHz 的低失真宽带放大器和振荡器
无铅（符合 RoHS 标准）封装

参数

类型	描述
fT	5 GHz
Gmax	16 dB @900 MHz
最高 IC	45 mA
NFmin	1.40 dB @900 MHz
OIP3	24 dBm
OP1dB	9 dBm
Ptot	280 mW
最高 VCEO	15 V
封装	SOT23

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BFR35AP

NPN 硅射频晶体管，用于集电极电流为 0.5mA 至 20 mA 时高达 2GHz 的低失真宽带放大器和振荡器

特性

参数

4000-306-326