Infineon英飞凌_BFP843F_产品介绍- 万联芯城

Infineon英飞凌 BFP843F 产品介绍

2026-04-14 0次

特性

高端 RF 性能与稳健性的独特组合：最大 RF 输入功率 20 dBm，1.5kV HBM ESD 硬度
高转换频率 fT = 60 GHz，可实现最佳的噪声系数：NFmin = 1.1 dB（5.5 GHz、1.8 V、8 mA）
高增益 Gms = 18 dB（5.5 GHz、1.8 V、15 mA）
OIP3 = 19.5 dBm（5.5 GHz、1.8 V、15 mA）
非常适合低压应用，例如VCC = 1.2 V 和 1.8 V（2.85 V、3.3 V、3.6 V 需要相应的集电极电阻）
适用于低压应用，例如VCC = 1.2 V 和 1.8 V（2.85 V、3.3 V、3.6 V 需要相应的集电极电阻）

参数

类型	描述
fT	80 GHz
Gmax	24 dB @900 MHz
最高 IC	55 mA
NFmin	0.80 dB @900 MHz
OIP3	23.5 dBm
Ptot	125 mW
最高 VCEO	2.25 V
封装	TSFP-4-1

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BFP843F

BFP843F 是一款坚固的低噪声宽带预匹配异质结双极晶体管 (HBT)。

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4000-306-326