Infineon英飞凌_BFP182W_产品介绍- 万联芯城

Infineon英飞凌 BFP182W 产品介绍

2026-04-14 0次

特性

适用于低噪声、高增益宽带放大器，集电极电流从 1 mA 到 20 mA
fT = 8 GHz，F = 0.9 dB @ 900 MHz
无铅（符合 RoHS 标准）封装

参数

类型	描述
fT	8 GHz
Gmax	15.5 dB @900MHz
最高 IC	35 mA
NFmin	0.90 dB @900MHz
OIP3	24 dBm
OP1dB	5 dBm
Ptot	250 mW
最高 VCEO	12 V
封装	SOT343

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BFP182W

NPN 硅射频晶体管，用于低噪声、高增益宽带放大器，集电极电流为 1 mA 至 20 m

特性

参数

4000-306-326