Infineon英飞凌_BFP640F_产品介绍- 万联芯城

Infineon英飞凌 BFP640F 产品介绍

2026-04-14 0次

特性

高增益低噪声射频晶体管
为各种无线应用提供出色的性能
非常适合 CDMA 和 WLAN 应用
出色的噪声系数 F = 0.65 dB (1.8 GHz)，出色的噪声系数 F = 1.2 dB (6 GHz)
高最大稳定增益：Gms = 23 dB (1.8 GHz)
镀金处理，可靠性更高
70 GHz fT-硅锗技术
无铅（符合 RoHS 标准）封装

参数

类型	描述
fT	42 GHz
Gmax	26.50 dB @900 MHz
最高 IC	50 mA
NFmin	0.55 dB @900 MHz
OIP3	27.5 dBm
OP1dB	13.5 dBm
Ptot	200 mW
最高 VCEO	4.1 V
封装	TSFP-4

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BFP640F

NPN硅锗射频晶体管

特性

参数

4000-306-326