Infineon英飞凌_BFP840FESD_产品介绍- 万联芯城

Infineon英飞凌 BFP840FESD 产品介绍

2026-04-14 0次

特性

高端 RF 性能与稳健性的独特组合：最大 RF 输入功率 20 dBm，1.5kV HBM ESD 硬度
高转换频率 fT = 85 GHz，可在高频下实现最佳的噪声系数：NFmin = 0.75 dB（5.5 GHz、1.8 V、5 mA）
高增益 Gms = 23 dB（5.5 GHz、1.8 V、10 mA）
OIP3 = 22 dBm（5.5 GHz、1.8 V、10 mA）
适用于低压应用，例如VCC = 1.2 V 和 1.8 V（2.85 V、3.3 V、3.6 V 需要相应的集电极电阻）
薄型、小尺寸无引线封装

参数

类型	描述
fT	85 GHz
Gmax	27.50 dB @900 MHz
最高 IC	35 mA
NFmin	0.60 dB @900 MHz
OIP3	21 dBm
OP1dB	4.5 dBm
Ptot	75 mW
最高 VCEO	2.25 V

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BFP840FESD

BFP840FESD 是一款分立式射频异质结双极晶体管 (HBT)，具有集成 ESD 保护功能，适用于 5 GHz 频段应用。

特性

参数

4000-306-326