Infineon英飞凌_BFP540FESD_产品介绍- 万联芯城

Infineon英飞凌 BFP540FESD 产品介绍

2026-04-14 0次

特性

出色的 ESD 性能（典型值 1000 V (HBM)）出色的 Gms = 20 dB 噪声系数 F = 0.9 dB
SIEGET ® 45 - Line
无铅（符合 ROHS 标准）封装

参数

类型	描述
fT	30 GHz
Gmax	20 dB @1800 MHz
最高 IC	80 mA
NFmin	0.90 dB @1800 MHz
OIP3	24.5 dBm
OP1dB	11 dBm
Ptot	175 mW
最高 VCEO	4.5 V
封装	TSFP-4

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BFP540FESD

用于 ESD 保护高增益低噪声放大器的 NPN 硅射频晶体管

特性

参数

4000-306-326