Infineon英飞凌_BFR840L3RHESD_产品介绍- 万联芯城

Infineon英飞凌 BFR840L3RHESD 产品介绍

2026-04-14 0次

特性

高端 RF 性能与稳健性的独特组合：最大 RF 输入功率 20 dBm，1.5kV HBM ESD 硬度
高转换频率 fT = 75 GHz，可在高频下实现最佳的噪声性能：Nfmin = 0.65 dB（5.5 GHz 时），1.1 dB（12 GHz 时），1.8 V，10 mA
高增益 Gms = 22 dB（5.5 GHz 时），1.8 V，10 mA
OIP3 = 18 dBm（5.5 GHz 时），1.8 V，10 mA
非常适合低压应用，例如VCC = 1.2 V 和 1.8 V（2.85 V、3.3 V、3.6 V 需要相应的集电极电阻）
薄型、小尺寸无引线封装

参数

类型	描述
fT	75 GHz
Gmax	26.50 dB @900 MHz
最高 IC	35 mA
NFmin	0.55 dB @900 MHz
OIP3	17 dBm
OP1dB	4 dBm
Ptot	75 mW
最高 VCEO	2.25 V

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BFR840L3RHESD

BFR840L3RHESD 是一款分立式射频异质结双极晶体管 (HBT)，具有集成 ESD 保护功能，适用于 5 GHz 频段应用。

特性

参数

4000-306-326