Infineon英飞凌_BFR843EL3_产品介绍- 万联芯城

Infineon英飞凌 BFR843EL3 产品介绍

2026-04-14 0次

特性

高端 RF 性能与稳健性的独特组合：20 dBm 最大 RF 输入功率和 1 kV HBM ESD 硬度
高转换频率可在高频下实现最佳的噪声性能：NFmin = 1 dB（2.4 GHz、1.8 V、8 mA 时）和 1.15 dB（5.5 GHz、1.8 V、8 mA 时）
高增益 Gms = 24 dB（2.4 GHz、1.8 V、15 mA 时）和 21.5 dB（5.5 GHz、1.8 V、15 mA 时）
OIP3 = 20.5 dBm（2.4 GHz、1.8 V、15 mA 时）和 20.5 dBm（5.5 GHz、1.8 V、15 mA 时）
适用于低压应用，例如VCC = 1.2 V 和 1.8 V（2.85 V、3.3 V、3.6 V 需要相应的集电极电阻）
薄型、小尺寸无引线封装

参数

类型	描述
fT	80 GHz
Gmax	24 dB @900 MHz
最高 IC	55 mA
NFmin	0.95 dB @900 MHz
OIP3	21 dBm
Ptot	125 mW
最高 VCEO	2.25 V
封装	TSLP-3-10

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BFR843EL3

BFR843EL3 是一款低噪声双频段预匹配放大器，采用 TSLP 薄型封装，适用于高速、低功耗应用。

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4000-306-326