Infineon英飞凌_BFP720FESD_产品介绍- 万联芯城

Infineon英飞凌 BFP720FESD 产品介绍

2026-04-14 0次

特性

高端 RF 性能与稳健性的独特组合：21 dBm 最大 RF 输入功率，2 kV HBM ESD 硬度。
高过渡频率 fT = 45 GHz，以实现高频下最佳的噪声系数：NFmin = 0.8 dB（5.5 GHz、3V、5 mA）
高增益 Gms = 22 dB（5.5 GHz、3V、15 mA）
OIP3 = 21 dBm（5.5 GHz、3V、15 mA）
薄型小尺寸无引线封装

参数

类型	描述
fT	45 GHz
Gmax	28.50 dB @900 MHz
最高 IC	30 mA
NFmin	0.55 dB @900 MHz
OIP3	22 dBm
OP1dB	7 dBm
Ptot	100 mW
最高 VCEO	4.2 V
封装	TSFP-4

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BFP720FESD

BFP720FESD 是硅锗碳 (SiGe:C) NPN 异质结宽带双极射频晶体管 (HBT)，具有集成 ESD 保护功能

特性

参数

4000-306-326