Infineon英飞凌_BFP760_产品介绍- 万联芯城

Infineon英飞凌 BFP760 产品介绍

2026-04-14 0次

特性

低噪声系数 NFmin = 0.95 dB @ 5.5 GHz, 3 V, 10 mA
高增益 Gms = 16.5 dB @ 5.5 GHz, 3 V, 30 mA
OIP3 = 27 dBm @ 5.5 GHz, 3 V, 30 mA

参数

类型	描述
Gmax	28 dB @900 MHz
最高 IC	70 mA
NFmin	0.50 dB @900 MHz
OIP3	27 dBm @900 MHz
OP1dB	14 dBm @900 MHz
最高 VCEO	4 V
封装	SOT343

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BFP760

BFP760 是硅锗碳 (SiGe:C) NPN 异质结宽带双极射频晶体管 (HBT)。

特性

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4000-306-326