Infineon英飞凌_BFP650F_产品介绍- 万联芯城

Infineon英飞凌 BFP650F 产品介绍

2026-04-14 0次

特性

适用于中等功率放大器和驱动级
高 OIP3 和 P-1dB
非常适合低相位噪声振荡器
Maxim。可用增益 Gma = 21.5 dB @ 1.8 GHz
噪声系数 F = 0.8 dB @ 1.8 GHz
70 GHz fT- 硅锗技术
无铅（符合 RoHS 标准）封装

参数

类型	描述
Gmax	21.50 dB @1800 MHz
最高 IC	150 mA
NFmin	0.80 dB @1800 MHz
OIP3	31 dBm @1800 MHz
OP1dB	17.50 dBm @1800 MHz
最高 VCEO	4 V
封装	TSFP-4

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BFP650F

NPN硅锗射频晶体管

特性

参数

4000-306-326