Infineon英飞凌_BFP650_产品介绍- 万联芯城

Infineon英飞凌 BFP650 产品介绍

2026-04-14 0次

特性

适用于所有高达 4.5 GHz 的射频前端的高线性低噪声驱动放大器
输出压缩点 OP1dB = 17 dBm（70 mA、3V、2.4 GHz、50Ω 系统）
输出三阶互调点 OIP3 = 30 dBm（70 mA、3 V、2.4 GHz、50 Ω 系统）
最大可用增益 Gma = 17.5 dB（70 mA、3V、2.4 GHz）
最小噪声系数 NFmin = 1 dB（30 mA、3V、2.4 GHz）
基于英飞凌可靠、大批量 SiGe:C 晶圆技术
易于使用的无铅（符合 RoHS 标准）标准封装，引脚可见

参数

类型	描述
Gmax	26.50 dB @900 MHz
最高 IC	150 mA
NFmin	0.80 dB @900 MHz
OIP3	31 dBm @900 MHz
OP1dB	17 dBm @900 MHz
最高 VCEO	4 V
封装	SOT343

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BFP650

高线性度低噪声 SiGe:C NPN 射频晶体管

特性

参数

4000-306-326