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OPTIGA AUTHENTICATE NBT

现货,推荐

OPTIGA ™ Authenticate NBT 是一款高性能 NFC I2C 桥接标签,经 NFC Forum 认证的 Type 4 标签,用于单击物联网设备身份验证和安全配置。它支持物联网设备与智能手机等非接触式读取器之间的超快速非接触式 NFC 通信。它基于 CC EAL 6+(高)认证硬件,并得益于我们广受好评的 Integrity Guard 32 安全架构,提供了高安全性。

Infineon英飞凌 OPTIGA AUTHENTICATE NBT 产品介绍
2026-04-14 0次

产品详情


  • 高性能 NFC-I2C 桥接标签
  • 基于 CC EAL 6+(高)认证硬件
  • Integrity Guard 32 安全
  • 超快数据传输
  • 8 KB 的超大片上内存
  • 最小化天线占用空间
  • 优化物料清单
  • 芯片单独预配置密钥对和证书
  • 长期值得信赖的采购

特性


  • NFC Forum Type 4 标签认证
  • 106 至 848 Kbit/s 非接触式
  • I2C 标准模式/快速模式(加)
  • 基于 ECDSA 的非对称加密
  • 基于 AES-128 的对称加密
  • 基于 32 位密码的验证
  • 8 KB 用户 NVM 存储容量
  • 78 pF 高片上电容
  • ISO/IEC 14443 A 型接口
  • I2C 目标接口
  • 全球平台 T=1' 协议
  • NFC 场检测引脚

应用


轻型电动车解决方案, 适用于智能电视的完整系统解决方案, 医疗可穿戴设备和一次性用品, 咖啡机和研磨机, 微波炉, 洗涤和烘干, 工业 HMI 显示器和面板, 工业电机驱动和控制, 工业 4.0 的工业机器人系统解决方案, 商用热泵, 商用暖通空调系统, 电子货架标签 (ESL), 智能恒温器

参数


类型

描述

NVM ( 非易失性存储器)

8 kByte

交付表单

PG-USON-8-8

产品说明

OPTIGA™ Authenticate NBT is a NFC-I2C bridge tag for contactless authentication and secured configuration of IoT devices

加密特性

Flexible, file-based password protection using 32-bit passwords

对称加密

AES-128-based symmetric crypto authentication

应用

Healthcare devices, Consumer electronic devices, Shared mobility, Industrial equipment

接口

I2C, ISO/IEC 14443 Type A

数据速率

I2C standard mode (100 kHz), fast mode (400 kHz), fast mode ‘plus’ (1 MHz) clock frequencies, 106 up to 848 Kbit/s contactless

环境温度 范围

-40 °C 至 85 °C

用例

Secured activation and device configuration of IoT devices, activation of shared mobility vehicles, passive commissioning of non-powered smart devices, data logging in health monitors

认证

Based on CC EAL 6+ (high) certified HW, NFC Forum Type 4, personal health device communication (PHDC)

非对称加密

ECDSA-based asymmetric authentication with PKI (public key infrastructure) and certificates

  • Infineon英飞凌 IMW65R010M2H 产品介绍
  • 采用 TO-247-3 封装的 CoolSiC ™ MOSFET 650 V、10 mΩ G2 以第一代技术的优势为基础,能够加速系统设计,从而实现成本更优化、更高效、更紧凑、更可靠的解决方案。第二代在硬开关操作和软开关拓扑的关键品质因数方面都有显著改进,适用于所有常见的 AC-DC、DC-DC 和 DC-AC 级组合。
    2026-04-14 211次
  • Infineon英飞凌 AIMBG75R050M2H 产品介绍
  • CoolSiC™ MOSFET 750 V 利用了英飞凌 20 多年的 SiC 经验。它在性能、可靠性和稳健性方面具有优势,具有栅极驱动灵活性,可实现简化且高效的系统设计,从而实现最高效率和功率密度。 创新的顶部冷却封装进一步增强了CoolSiC™ 750 V 的优势,提供了更高的密度、优化的功率回路设计以及更少的系统和组装成本。
    2026-04-14 277次
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    2026-04-14 265次
  • Infineon英飞凌 IMW120R060M1H 产品介绍
  • CoolSiC ™ MOSFET 分立器件 1200 V、60 mΩ G1 采用 TO247-3 封装,基于最先进的沟槽半导体工艺构建,经过优化,兼具性能和可靠性。这些包括 SiC 开关中看到的最低栅极电荷和器件电容水平、反并联二极管无反向恢复损耗、与温度无关的低开关损耗和无阈值导通特性。
    2026-04-14 331次
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  • CoolSiC ™ MOSFET 分立器件 1200 V、78 mΩ G2 采用顶部冷却 Q-DPAK 封装,专为广泛用于工业应用而设计。Q-DPAK封装解决方案为客户提供了出色的热性能、更简便的组装和更低的系统成本。顶部冷却的 Q-DPAK 单开关开创了冷却、能源效率、设计灵活性和性能的新时代。
    2026-04-14 304次
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