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OC1230

现货,推荐

OPTIGA ™ Connect Consumer OC1230 配备了针对移动消费设备优化的丰富功能集,使其完美适用于最小的移动消费设备,如智能手表和其他可穿戴设备。该安全架构基于 Arm ® v8 和英飞凌的 Integrity Guard 32 技术,可提高性能并降低功耗。符合 GSMA SGP.22 v3 的 RSP 和 MEP 极大地增强了最终用户体验。 *NPI 计划于 2026 年前两个季度推出。

Infineon英飞凌 OC1230 产品介绍
2026-04-14 0次

产品详情


  • 全球最小的符合 GSMA 标准的 eSIM
  • 全球首款 28 nm eSIM
  • 轻松集成
  • 完全互操作性
  • 性能/功率比提升 25%
  • 延长电池寿命
  • 面向未来的安全平台
  • 丰富的新功能:例如操作系统修补、MEP
  • 改善最终用户体验
  • 后量子密码 (PQC) 就绪

特性


  • 全球 eSIM 服务互操作性
  • 符合 RSP 和 MEP GSMA SGP.22 v3 标准
  • SOTA/OS 补丁
  • 高达 1.1 MB 的可用用户内存
  • 通过 GSMA eUICC 安全保障 (eSA) 方案认证
  • 电压等级:C (1.8 V)、D (1.2 V)
  • 接口:ISO7816、SPI
  • WLCSP (1.8 x 1.6 x 0.4 mm) 封装
  • X2QFN20 (3.0 x 3.0 x 0.3 mm) 封装

参数


类型

描述

CPU

32-bit

NVM ( 非易失性存储器)

1.1 MByte

交付表单

SG-XFWLB-16-1, PG-X2QFN-20-1

产品说明

OPTIGA™ Connect Consumer OC1230 is a 5G-ready eSIM turnkey solution optimized for mobile consumer devices. RSP and MEP compliant with GSMA SGP.22 v3 greatly enhance the end user experience.

对称加密

AES up to 256 bit, DES

应用

Consumer devices (smartphones, wearables, tablets, notebooks)

接口

ISO 7816, SPI

环境温度 范围

-40 °C 至 85 °C

用例

eSIM (embedded SIM)

认证

GSMA, 3GPP

非对称加密

RSA up to 2048 bit, ECC up to 521 bit, NIST P-256, Brainpool256r1, FRP256V1

  • Infineon英飞凌 IMW65R010M2H 产品介绍
  • 采用 TO-247-3 封装的 CoolSiC ™ MOSFET 650 V、10 mΩ G2 以第一代技术的优势为基础,能够加速系统设计,从而实现成本更优化、更高效、更紧凑、更可靠的解决方案。第二代在硬开关操作和软开关拓扑的关键品质因数方面都有显著改进,适用于所有常见的 AC-DC、DC-DC 和 DC-AC 级组合。
    2026-04-14 211次
  • Infineon英飞凌 AIMBG75R050M2H 产品介绍
  • CoolSiC™ MOSFET 750 V 利用了英飞凌 20 多年的 SiC 经验。它在性能、可靠性和稳健性方面具有优势,具有栅极驱动灵活性,可实现简化且高效的系统设计,从而实现最高效率和功率密度。 创新的顶部冷却封装进一步增强了CoolSiC™ 750 V 的优势,提供了更高的密度、优化的功率回路设计以及更少的系统和组装成本。
    2026-04-14 277次
  • Infineon英飞凌 BAT15-02ELS 产品介绍
  • 这款英飞凌射频肖特基二极管是一款硅低势垒 N 型器件,片上集成有保护环,用于过压保护。其低势垒高度、低正向电压和低结电容使 BAT15-02ELS 成为频率高达 12 GHz 的应用中混频器和检测器功能的合适选择。
    2026-04-14 265次
  • Infineon英飞凌 IMW120R060M1H 产品介绍
  • CoolSiC ™ MOSFET 分立器件 1200 V、60 mΩ G1 采用 TO247-3 封装,基于最先进的沟槽半导体工艺构建,经过优化,兼具性能和可靠性。这些包括 SiC 开关中看到的最低栅极电荷和器件电容水平、反并联二极管无反向恢复损耗、与温度无关的低开关损耗和无阈值导通特性。
    2026-04-14 328次
  • Infineon英飞凌 IMCQ120R078M2H 产品介绍
  • CoolSiC ™ MOSFET 分立器件 1200 V、78 mΩ G2 采用顶部冷却 Q-DPAK 封装,专为广泛用于工业应用而设计。Q-DPAK封装解决方案为客户提供了出色的热性能、更简便的组装和更低的系统成本。顶部冷却的 Q-DPAK 单开关开创了冷却、能源效率、设计灵活性和性能的新时代。
    2026-04-14 304次
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