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OPTIGA TRUST M MTR

现货,推荐

OPTIGA ™ Trust M MTR 是我们的 OPTIGA ™ Trust M 离散安全解决方案与 Matter 配置服务的结合。它经过 Matter 认证并可与任何 MCU/SoC 配合使用,从而可以轻松地将安全的 Matter 兼容性添加到现有的物联网设计中。我们与合作伙伴 Kudelski IoT 密切合作,提供后期个性化设备认证证书注入,使 OEM 能够灵活地在生产开始前更新 DAC。

Infineon英飞凌 OPTIGA TRUST M MTR 产品介绍
2026-04-14 0次

产品详情


  • 轻松添加 Matter 兼容性
  • 可与任何 MCU/MPU 配合使用
  • 允许保留现有设计
  • 可下载个性化 DAC
  • 高度灵活性
  • 允许创建多个变体
  • 强大的安全性
  • 无需保密协议 (NDA) 的产品文档

特性


  • CSA 认证事项证书
  • 预配置的 TLS 证书
  • ECDH、ECDSA
  • ECC NIST 曲线高达 P521
  • 加密工具箱
  • ECC 512 和 RSA 密钥大小高达 2K
  • AES、HMAC 和密钥派生
  • TRNG AIS-31 认证
  • 内置加密加速器

参数


类型

描述

CPU

16-bit

NVM ( 非易失性存储器)

10 kByte

交付表单

Reel (4K MOQ)

产品说明

The easy way to add Matter and security to your smart home devices

对称加密

HMAC up to SHA512, AES key up to 256, TLS v1.2 PRF and HKDF up to SHA512

应用

Blinds/shades, HVAC controls , Lighting/electrical, Access Control, TV, Matter controllers, Access points/bridges

接口

I2C (shielded connection)

环境温度 范围

-25 °C 至 85 °C

用例

Safety and security, Mutual authentication, Secured communication, Secured updates, Key provisioning, Life-cycle management, Data store protection, Power management, Platform integrity protection, Secured zero-touch provisioning, Matter crypto offloading, Matter credential storage

认证

Based on CC EAL 6+ (high) certified HW

非对称加密

RSA® up to 2048, Brainpool r1 curve up to 512, ECC : NIST curves up to P-521

  • Infineon英飞凌 IMW65R010M2H 产品介绍
  • 采用 TO-247-3 封装的 CoolSiC ™ MOSFET 650 V、10 mΩ G2 以第一代技术的优势为基础,能够加速系统设计,从而实现成本更优化、更高效、更紧凑、更可靠的解决方案。第二代在硬开关操作和软开关拓扑的关键品质因数方面都有显著改进,适用于所有常见的 AC-DC、DC-DC 和 DC-AC 级组合。
    2026-04-14 211次
  • Infineon英飞凌 AIMBG75R050M2H 产品介绍
  • CoolSiC™ MOSFET 750 V 利用了英飞凌 20 多年的 SiC 经验。它在性能、可靠性和稳健性方面具有优势,具有栅极驱动灵活性,可实现简化且高效的系统设计,从而实现最高效率和功率密度。 创新的顶部冷却封装进一步增强了CoolSiC™ 750 V 的优势,提供了更高的密度、优化的功率回路设计以及更少的系统和组装成本。
    2026-04-14 277次
  • Infineon英飞凌 BAT15-02ELS 产品介绍
  • 这款英飞凌射频肖特基二极管是一款硅低势垒 N 型器件,片上集成有保护环,用于过压保护。其低势垒高度、低正向电压和低结电容使 BAT15-02ELS 成为频率高达 12 GHz 的应用中混频器和检测器功能的合适选择。
    2026-04-14 265次
  • Infineon英飞凌 IMW120R060M1H 产品介绍
  • CoolSiC ™ MOSFET 分立器件 1200 V、60 mΩ G1 采用 TO247-3 封装,基于最先进的沟槽半导体工艺构建,经过优化,兼具性能和可靠性。这些包括 SiC 开关中看到的最低栅极电荷和器件电容水平、反并联二极管无反向恢复损耗、与温度无关的低开关损耗和无阈值导通特性。
    2026-04-14 330次
  • Infineon英飞凌 IMCQ120R078M2H 产品介绍
  • CoolSiC ™ MOSFET 分立器件 1200 V、78 mΩ G2 采用顶部冷却 Q-DPAK 封装,专为广泛用于工业应用而设计。Q-DPAK封装解决方案为客户提供了出色的热性能、更简便的组装和更低的系统成本。顶部冷却的 Q-DPAK 单开关开创了冷却、能源效率、设计灵活性和性能的新时代。
    2026-04-14 304次
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