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OPTIGA TRUST CHARGE AUTO

OPTIGA ™ Trust Charge Automotive 是一款高度优化的解决方案,适用于高达 15 W 的车载无线充电。它符合 AEC Q100 汽车认证,使车载无线充电器制造商能够开发符合最新 Qi 1.3 规范的充电器。OPTIGA ™ Trust Charge Automotive 身份验证解决方案基于 CC EAL6+(高)认证硬件,因此超过了 Qi 1.3 标准的安全要求。

Infineon英飞凌 OPTIGA TRUST CHARGE AUTO 产品介绍
2026-04-14 0次

产品详情


  • 适用于 Qi 1.3 无线充电
  • 超出 WPC 的安全要求
  • 简化关键物流
  • 简化的安全集成
  • 完全符合 Qi 1.3 标准
  • 轻松集成

特性


  • 基于 CC EAL 6+(高)认证硬件
  • ECDSA P-256 身份验证
  • NIST P-256、SHA-2 加密
  • AEC Q100 认证
  • SPI、I2C 协议
  • VQFN-32 或 VQFN-8 封装
  • 完整的交钥匙解决方案

应用


汽车车身电子与电力分配, 汽车二次配电单元, 汽车车载主机, 汽车仪表盘

参数


类型

描述

CPU

32-bit

交付表单

VQFN-8, VQFN-32

产品说明

OPTIGA™ Trust Charge Automotive supports authentication required for Qi 1.3 wireless charging, thus complying with the de-facto international wireless charging standard for in-car devices.

其他信息

Full turnkey solution = hardware / firmware / drivers / host library , Full WPC compliant provisioning , Generation and injection of keys and certificate chains, IFX acts as WPC Manufacturer CA

封装

VQFN-32, VQFN-8

应用

Authentication for in-car Qi Charging

接口

I2C, SPI

标准

Wireless Power Consortium's (WPC) Qi standard

环境温度 范围

-40 °C 至 105 °C

用例

in-car Qi charging

认证

Based on CC EAL 6+ (high) certified HW

非对称加密

Authentication based on ECDSA NIST-P256, Cryptography support: ECC256, SHA-2

  • Infineon英飞凌 IMW65R010M2H 产品介绍
  • 采用 TO-247-3 封装的 CoolSiC ™ MOSFET 650 V、10 mΩ G2 以第一代技术的优势为基础,能够加速系统设计,从而实现成本更优化、更高效、更紧凑、更可靠的解决方案。第二代在硬开关操作和软开关拓扑的关键品质因数方面都有显著改进,适用于所有常见的 AC-DC、DC-DC 和 DC-AC 级组合。
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  • Infineon英飞凌 AIMBG75R050M2H 产品介绍
  • CoolSiC™ MOSFET 750 V 利用了英飞凌 20 多年的 SiC 经验。它在性能、可靠性和稳健性方面具有优势,具有栅极驱动灵活性,可实现简化且高效的系统设计,从而实现最高效率和功率密度。 创新的顶部冷却封装进一步增强了CoolSiC™ 750 V 的优势,提供了更高的密度、优化的功率回路设计以及更少的系统和组装成本。
    2026-04-14 277次
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  • 这款英飞凌射频肖特基二极管是一款硅低势垒 N 型器件,片上集成有保护环,用于过压保护。其低势垒高度、低正向电压和低结电容使 BAT15-02ELS 成为频率高达 12 GHz 的应用中混频器和检测器功能的合适选择。
    2026-04-14 265次
  • Infineon英飞凌 IMW120R060M1H 产品介绍
  • CoolSiC ™ MOSFET 分立器件 1200 V、60 mΩ G1 采用 TO247-3 封装,基于最先进的沟槽半导体工艺构建,经过优化,兼具性能和可靠性。这些包括 SiC 开关中看到的最低栅极电荷和器件电容水平、反并联二极管无反向恢复损耗、与温度无关的低开关损耗和无阈值导通特性。
    2026-04-14 330次
  • Infineon英飞凌 IMCQ120R078M2H 产品介绍
  • CoolSiC ™ MOSFET 分立器件 1200 V、78 mΩ G2 采用顶部冷却 Q-DPAK 封装,专为广泛用于工业应用而设计。Q-DPAK封装解决方案为客户提供了出色的热性能、更简便的组装和更低的系统成本。顶部冷却的 Q-DPAK 单开关开创了冷却、能源效率、设计灵活性和性能的新时代。
    2026-04-14 304次
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