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OPTIGA TRUST M SLS32AIA

现货,推荐

OPTIGA ™ Trust M 是一种预先配置的离散安全元件,可以轻松为现有的物联网设计添加安全性。它针对智能家居、智能建筑和工业自动化进行了优化。它是一个高度模块化的独立硬件组件,可以与任何设计缺乏安全性的 MCU 集成。即使更换 MCU,它仍能保持在原位。这使得可以轻松升级到 Matter 等新协议。

Infineon英飞凌 OPTIGA TRUST M SLS32AIA 产品介绍
2026-04-14 0次

产品详情


  • 增加安全性的最简单方法
  • 可与任何 MCU/MPU 配合使用
  • 强大、面向未来的安全性
  • 轻松集成
  • 免 NDA 的产品文档
  • MIT 许可的公共主机软件

特性


  • 基于 CC EAL 6+(高)认证硬件
  • ECC NIST 曲线高达 P-521
  • ECC Brainpool r1 曲线高达 P-512
  • RSA 高达 2048
  • AES 高达 256,HMAC 高达 SHA-512
  • TLS v1.2 PRF 和 HKDF 高达 SHA-512
  • TRNG/DRNG,4 个单调计数器
  • 高达 10 kB 用户内存
  • I2C 接口屏蔽连接
  • 休眠模式,功耗为 0。
  • USON-10封装(3 x 3 毫米)
  • 温度范围:-40 至 + 105°C
  • 使用寿命:工业级 20 年
  • 配置。设备安全监视器
  • 受保护的更新

应用


新能源汽车动力系统, Battery energy storage (BESS), Solid-state circuit breaker (SSCB), 家用机器人

参数


类型

描述

CPU

16-bit

NVM ( 非易失性存储器)

10 kByte

产品说明

A high-end turnkey security controller optimized for connected devices. It provides flexible, high-performance, secured access to any major cloud provider for industrial and building automation, smart home and consumer applications.

封装

USON-10

应用

healthcare, PLC’s and Drives, drones, industrial robotics, smart metering, crypto wallets, EV charging, server power, building automation, smart home, smart lighting, consumer

接口

I2C (shielded connection)

环境温度 范围

-40 °C 至 105 °C, -25 °C 至 85 °C

用例

secured zero-touch provisioning, platform integrity protection, power management, data store protection, life-cycle management, key provisioning, secured updates, secured communication, mutual authentication

认证

PSA level 3, Based on CC EAL 6+ (high) certified HW

非对称加密

TLS v1.2 PRF and HKDF up to SHA512, AES key up to 256, HMAC up to SHA512, RSA® up to 2048

  • Infineon英飞凌 IMW65R010M2H 产品介绍
  • 采用 TO-247-3 封装的 CoolSiC ™ MOSFET 650 V、10 mΩ G2 以第一代技术的优势为基础,能够加速系统设计,从而实现成本更优化、更高效、更紧凑、更可靠的解决方案。第二代在硬开关操作和软开关拓扑的关键品质因数方面都有显著改进,适用于所有常见的 AC-DC、DC-DC 和 DC-AC 级组合。
    2026-04-14 211次
  • Infineon英飞凌 AIMBG75R050M2H 产品介绍
  • CoolSiC™ MOSFET 750 V 利用了英飞凌 20 多年的 SiC 经验。它在性能、可靠性和稳健性方面具有优势,具有栅极驱动灵活性,可实现简化且高效的系统设计,从而实现最高效率和功率密度。 创新的顶部冷却封装进一步增强了CoolSiC™ 750 V 的优势,提供了更高的密度、优化的功率回路设计以及更少的系统和组装成本。
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  • Infineon英飞凌 BAT15-02ELS 产品介绍
  • 这款英飞凌射频肖特基二极管是一款硅低势垒 N 型器件,片上集成有保护环,用于过压保护。其低势垒高度、低正向电压和低结电容使 BAT15-02ELS 成为频率高达 12 GHz 的应用中混频器和检测器功能的合适选择。
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  • Infineon英飞凌 IMW120R060M1H 产品介绍
  • CoolSiC ™ MOSFET 分立器件 1200 V、60 mΩ G1 采用 TO247-3 封装,基于最先进的沟槽半导体工艺构建,经过优化,兼具性能和可靠性。这些包括 SiC 开关中看到的最低栅极电荷和器件电容水平、反并联二极管无反向恢复损耗、与温度无关的低开关损耗和无阈值导通特性。
    2026-04-14 327次
  • Infineon英飞凌 IMCQ120R078M2H 产品介绍
  • CoolSiC ™ MOSFET 分立器件 1200 V、78 mΩ G2 采用顶部冷却 Q-DPAK 封装,专为广泛用于工业应用而设计。Q-DPAK封装解决方案为客户提供了出色的热性能、更简便的组装和更低的系统成本。顶部冷却的 Q-DPAK 单开关开创了冷却、能源效率、设计灵活性和性能的新时代。
    2026-04-14 304次
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