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SLC52GDA348

SLC52G 产品系列由多种交付形式的衍生产品组成。它以英飞凌的 SOLID FLASH ™技术为基础,旨在将最高水平的灵活性与出色的可靠性以及先进的 Integrity Guard 安全概念相结合。英飞凌的 SOLID FLASH ™产品通过较短的交货时间和灵活的生产来加速市场响应。它们在物流、开发和整个认证过程中具有许多优势。 Integrity Guard 是业内最智能的安全概念,具有高度复杂的数字安全架构,包括完全加密的数据路径和自检双 CPU 核心。它为现在和将来的政府身份证件提供强有力的保护,防止潜在的安全攻击。

Infineon英飞凌 SLC52GDA348 产品介绍
2026-04-14 0次

产品详情


  • 先进的技术和完整的产品组合,可满足所有政府身份证应用需求
  • Integrity Guard 可持续的安全性,适用于长期政府项目,具有无与伦比的系统稳健性
  • 零妥协的性能和出色的非接触式速度,可大幅缩短交易时间,例如在边境检查站
  • 通过快速简便的实施降低总体拥有成本 (TCO)
  • 全面的产品组合,可满足政府身份证的所有应用需求

特性


  • 双 CPU、基于缓存的 16 位安全控制器架构
  • Integrity Guard 安全概念
  • 支持所有非接触式近距离标准(ISO 14443 A/B 型、ISO 18092 NFC 被动模式)
  • 支持更高比特率(高达 848 Kbit/s)和极高比特率(高达 6.8 Mbit/s)
  • 支持 ISO/IEC 7816 接触式接口
  • 高达 448 KB SOLID FLASH ™ NVM
  • 高达 12 KB RAM
  • 用于对称加密(3DES、AES)的对称加密处理器 (SCP)
  • 用于非对称加密(RSA 和 ECC)的加密引擎,带有经过认证的 RSA 和 ECC 库
  • 认证级别:通用标准 EAL 6+ (高)*,EMVCo

参数


类型

描述

CPU

Dual 16-bit

NVM ( 非易失性存储器)

348 kByte

RAM

12 kByte

交付表单

contactless module, dual-interface module, sawn wafer

产品说明

contactless security cryptocontroller with dual-interface

对称加密

DES, 3DES, AES up to 256-bit

应用

government identification

接口

ISO 14443 A/B, ISO 18092 passive mode, NRG™ (ISO/IEC 14443-3 type A with CRYPTO1), ISO 7816

环境温度 范围

-25 °C 至 85 °C

用例

National eID, ePassport, eHealth card / eSocial card, eDriver’s license, eVisa, eResidence permit, eTachograph, eVehicle registration card / eCar registration, eSignature

认证

EMVCo, CC EAL6+ high

非对称加密

RSA up to 4096-bit, ECC up to 521-bit

领先的技术

Very High Bit Rates (VHBR), SOLID FLASH™, Integrity Guard

  • Infineon英飞凌 IMW65R010M2H 产品介绍
  • 采用 TO-247-3 封装的 CoolSiC ™ MOSFET 650 V、10 mΩ G2 以第一代技术的优势为基础,能够加速系统设计,从而实现成本更优化、更高效、更紧凑、更可靠的解决方案。第二代在硬开关操作和软开关拓扑的关键品质因数方面都有显著改进,适用于所有常见的 AC-DC、DC-DC 和 DC-AC 级组合。
    2026-04-14 211次
  • Infineon英飞凌 AIMBG75R050M2H 产品介绍
  • CoolSiC™ MOSFET 750 V 利用了英飞凌 20 多年的 SiC 经验。它在性能、可靠性和稳健性方面具有优势,具有栅极驱动灵活性,可实现简化且高效的系统设计,从而实现最高效率和功率密度。 创新的顶部冷却封装进一步增强了CoolSiC™ 750 V 的优势,提供了更高的密度、优化的功率回路设计以及更少的系统和组装成本。
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  • Infineon英飞凌 BAT15-02ELS 产品介绍
  • 这款英飞凌射频肖特基二极管是一款硅低势垒 N 型器件,片上集成有保护环,用于过压保护。其低势垒高度、低正向电压和低结电容使 BAT15-02ELS 成为频率高达 12 GHz 的应用中混频器和检测器功能的合适选择。
    2026-04-14 265次
  • Infineon英飞凌 IMW120R060M1H 产品介绍
  • CoolSiC ™ MOSFET 分立器件 1200 V、60 mΩ G1 采用 TO247-3 封装,基于最先进的沟槽半导体工艺构建,经过优化,兼具性能和可靠性。这些包括 SiC 开关中看到的最低栅极电荷和器件电容水平、反并联二极管无反向恢复损耗、与温度无关的低开关损耗和无阈值导通特性。
    2026-04-14 328次
  • Infineon英飞凌 IMCQ120R078M2H 产品介绍
  • CoolSiC ™ MOSFET 分立器件 1200 V、78 mΩ G2 采用顶部冷却 Q-DPAK 封装,专为广泛用于工业应用而设计。Q-DPAK封装解决方案为客户提供了出色的热性能、更简便的组装和更低的系统成本。顶部冷却的 Q-DPAK 单开关开创了冷却、能源效率、设计灵活性和性能的新时代。
    2026-04-14 304次
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