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SLC26PDL360N9

SLC26PDL360N9 提供最先进的 CPU 架构特点,基于 32 位Arm® v8-M 的 CPU 和 Integrity Guard 双磁芯,可实现快速通讯以实现最快的执行、超低水平乘方消耗和一流的安全性。 它是支付应用的理想选择,可提供创新的交付形式。此外,家族式概念优化了开发资源,加快了产品上市速度,同时也减少了认证工作量。

Infineon英飞凌 SLC26PDL360N9 产品介绍
2026-04-14 0次

产品详情


  • 快速上市
  • 简化编程
  • 精简认证
  • 延长产品寿命
  • 无与伦比的性能
  • 通过 EMVCo ICCN 认证
  • 支持创新的功能集
  • 经过市场验证的交付形式
  • 一流的支持结构

特性


  • 28nm 工艺
  • 基于 Arm ® v8-M 的 32 位 CPU
  • Integrity Guard 32
  • 快速通信速度
  • 超低功耗
  • 针对支付应用进行优化
  • 创新交付形式
  • 模块上线圈 (CoM)
  • 智能支付配件 (SPA)

应用


支付解决方案

参数


类型

描述

CPU

TEGRION™ 32-bit Arm® v8-M

NVM ( 非易失性存储器)

360 kByte

RAM

20 kByte

交付表单

Wafer 150 µm, CoM 6 PIN

对称加密

AES up to 256-bit, DES, 3DES

应用

Payment

接口

NRG™ (ISO/IEC 14443-3 type A with CRYPTO1), Optimized for small antenna sizes, ISO 14443 A/B, ISO 7816

环境温度 范围

-25 °C 至 85 °C

认证

CC EAL6+, EMVco

非对称加密

NRG, RSA up to 4096-bit, ECC up to 521-bit

  • Infineon英飞凌 IMW65R010M2H 产品介绍
  • 采用 TO-247-3 封装的 CoolSiC ™ MOSFET 650 V、10 mΩ G2 以第一代技术的优势为基础,能够加速系统设计,从而实现成本更优化、更高效、更紧凑、更可靠的解决方案。第二代在硬开关操作和软开关拓扑的关键品质因数方面都有显著改进,适用于所有常见的 AC-DC、DC-DC 和 DC-AC 级组合。
    2026-04-14 211次
  • Infineon英飞凌 AIMBG75R050M2H 产品介绍
  • CoolSiC™ MOSFET 750 V 利用了英飞凌 20 多年的 SiC 经验。它在性能、可靠性和稳健性方面具有优势,具有栅极驱动灵活性,可实现简化且高效的系统设计,从而实现最高效率和功率密度。 创新的顶部冷却封装进一步增强了CoolSiC™ 750 V 的优势,提供了更高的密度、优化的功率回路设计以及更少的系统和组装成本。
    2026-04-14 277次
  • Infineon英飞凌 BAT15-02ELS 产品介绍
  • 这款英飞凌射频肖特基二极管是一款硅低势垒 N 型器件,片上集成有保护环,用于过压保护。其低势垒高度、低正向电压和低结电容使 BAT15-02ELS 成为频率高达 12 GHz 的应用中混频器和检测器功能的合适选择。
    2026-04-14 265次
  • Infineon英飞凌 IMW120R060M1H 产品介绍
  • CoolSiC ™ MOSFET 分立器件 1200 V、60 mΩ G1 采用 TO247-3 封装,基于最先进的沟槽半导体工艺构建,经过优化,兼具性能和可靠性。这些包括 SiC 开关中看到的最低栅极电荷和器件电容水平、反并联二极管无反向恢复损耗、与温度无关的低开关损耗和无阈值导通特性。
    2026-04-14 329次
  • Infineon英飞凌 IMCQ120R078M2H 产品介绍
  • CoolSiC ™ MOSFET 分立器件 1200 V、78 mΩ G2 采用顶部冷却 Q-DPAK 封装,专为广泛用于工业应用而设计。Q-DPAK封装解决方案为客户提供了出色的热性能、更简便的组装和更低的系统成本。顶部冷却的 Q-DPAK 单开关开创了冷却、能源效率、设计灵活性和性能的新时代。
    2026-04-14 304次
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