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TLE5009A16D E1210

现货,推荐

推出具有模拟输出的 XENSIV ™ TLE5x0916(D) 角度传感器。使用 MR 元件通过正弦和余弦分量检测磁场方向。输出范围:0-180°(AMR),0-360°(GMR)。提供单/双芯片、GMR/AMR 传感器选项,确保高精度。3.3 V,提供TCO。衍生产品:TLE5009A16、TLE5009A16D、TLE5109A16、TLE5109A16D、TLE5309D。可根据要求提供安全手册。

Infineon英飞凌 TLE5009A16D E1210 产品介绍
2026-04-14 0次

特性


  • GMR 原理
  • 顶部和底部单独的电源引脚
  • 低电流消耗和快速启动
  • 360° 测量转数计数器
  • 针对 3.3 V 或 5 V 电路进行了优化
  • 气隙免疫 MR 传感原理
  • 预放大输出信号
  • 多样的红色。GMR+AMR传感器组合
  • 高精度:0.1°角度误差

应用


电动助力转向 (EPS)

参数


类型

描述

ISO 26262

ready

供电电压 范围

-0.5 V 至 6.5 V

供电电压 ((V))

-0.5-6.5

分类

ISO 26262-ready

封装

Dual SMD

技术

GMR

接口

Analog

温度 范围

-40 °C 至 125 °C

目前计划的可用性至少到

2034

磁场 范围

21 mT 至 50 mT

  • Infineon英飞凌 IMW65R010M2H 产品介绍
  • 采用 TO-247-3 封装的 CoolSiC ™ MOSFET 650 V、10 mΩ G2 以第一代技术的优势为基础,能够加速系统设计,从而实现成本更优化、更高效、更紧凑、更可靠的解决方案。第二代在硬开关操作和软开关拓扑的关键品质因数方面都有显著改进,适用于所有常见的 AC-DC、DC-DC 和 DC-AC 级组合。
    2026-04-14 211次
  • Infineon英飞凌 AIMBG75R050M2H 产品介绍
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    2026-04-14 277次
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    2026-04-14 265次
  • Infineon英飞凌 IMW120R060M1H 产品介绍
  • CoolSiC ™ MOSFET 分立器件 1200 V、60 mΩ G1 采用 TO247-3 封装,基于最先进的沟槽半导体工艺构建,经过优化,兼具性能和可靠性。这些包括 SiC 开关中看到的最低栅极电荷和器件电容水平、反并联二极管无反向恢复损耗、与温度无关的低开关损耗和无阈值导通特性。
    2026-04-14 328次
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  • CoolSiC ™ MOSFET 分立器件 1200 V、78 mΩ G2 采用顶部冷却 Q-DPAK 封装,专为广泛用于工业应用而设计。Q-DPAK封装解决方案为客户提供了出色的热性能、更简便的组装和更低的系统成本。顶部冷却的 Q-DPAK 单开关开创了冷却、能源效率、设计灵活性和性能的新时代。
    2026-04-14 304次
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