Infineon英飞凌_BC857S_产品介绍- 万联芯城

Infineon英飞凌 BC857S 产品介绍

2026-04-14 0次

特性

高电流增益
低集电极-发射极饱和电压
两个（电流）内部隔离晶体管，在一个封装中具有良好的匹配性
BC856S / U、BC857S：有关卷轴方向，请参见下面的封装信息
无铅（符合 RoHS 标准）封装
符合 AEC Q101 要求

参数

类型	描述
fT	250 MHz
hFE 范围	200 至 630
最高 ICBO	15 nA
最高 IC	100 mA
IC	100 mA
最高 ICM	200 mA
最高 Ptot	250 mW
最高 VCBO	50 V
最高 VCE(sat)	0.65 V
最高 VCEO	45 V
最高 VEBO	5 V
安装	SMT
封装	P-SOT363-6-1
极性	PNP (Dual)

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BC857S

PNP硅AF晶体管阵列

特性

参数

4000-306-326