Infineon英飞凌_BC817U_产品介绍- 万联芯城

Infineon英飞凌 BC817U 产品介绍

2026-04-14 0次

特性

高电流增益
低集电极-发射极饱和电压
两个（电流）内部隔离晶体管，封装内匹配良好
无铅（符合 RoHS 标准）封装
符合 AEC Q101 要求

参数

类型	描述
fT	170 MHz
hFE 范围	160 至 400
最高 IBM	200 mA
最高 ICBO	100 nA
最高 IC	500 mA
IC	500 mA
最高 ICM	1000 mA
最高 Ptot	330 mW
最高 VCBO	50 V
最高 VCE(sat)	0.7 V
最高 VCEO	45 V
VCE	1 V
最高 VEBO	5 V
安装	SMT
封装	P-SC74-6-1
极性	NPN (Dual)

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BC817U

PNP硅AF晶体管阵列

特性

参数

4000-306-326