Infineon英飞凌_SMBTA06UPN_产品介绍- 万联芯城

Infineon英飞凌 SMBTA06UPN 产品介绍

2026-04-14 0次

特性

高击穿电压
低集电极-发射极饱和电压
单个封装内集成两个（电流）内部隔离的 NPN/PNP 晶体管
无铅（符合 RoHS 标准）封装
符合 AEC Q101 要求

参数

类型	描述
fT	100 MHz
最低 hFE	100
最高 IBM	200 mA
最高 ICBO	100 nA
最高 IC	500 mA
IC	500 mA
最高 ICM	1000 mA
最高 Ptot	330 mW
最高 VCBO	80 V
最高 VCE(sat)	0.25 V
最高 VCEO	80 V
VCE	1 V
最高 VEBO	4 V
安装	SMT
封装	P-SC74-6-1
极性	NPN/PNP (Dual)

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SMBTA06UPN

NPN/PNP硅AF晶体管阵列

特性

参数

4000-306-326