Infineon英飞凌_BC858B_产品介绍- 万联芯城

Infineon英飞凌 BC858B 产品介绍

2026-04-14 0次

特性

高电流增益
低集电极-发射极饱和电压
30 Hz 至 15 kHz 之间的低噪声
互补类型：BC847...-BC850... (NPN)
无铅（符合 RoHS 标准）封装
符合 AEC Q1011 标准

参数

类型	描述
fT	250 MHz
hFE 范围	220 至 475
最高 IBM	200 mA
最高 ICBO	15 nA
最高 IC	100 mA
IC	100 mA
最高 ICM	200 mA
最高 Ptot	330 mW
最高 VCBO	30 V
最高 VCE(sat)	0.65 V
最高 VCEO	30 V
最高 VEBO	5 V
安装	SMT
封装	P-SOT23-3-3
极性	PNP (Single)

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BC858B

NPN硅AF晶体管

特性

参数

4000-306-326