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TLE7259-3LE

现货,推荐

TLE7259-3:用于车载网络(2.4-20kbps)。协议控制器和 LIN 网络之间的总线驱动器。符合 LIN 标准,供电范围广。支持模式,控制外部组件。睡眠模式:<8μA 静态电流,LIN 总线通信唤醒,本地唤醒。BUS 引脚上的漏电流低。英飞凌 SPT 具有 ESD 稳健性和高 EMC 性能。低排放,独立于电池电压。AEC 符合汽车标准。

Infineon英飞凌 TLE7259-3LE 产品介绍
2026-04-14 0次

特性


  • 单线 LIN 收发器,20 kbps
  • 符合 ISO 17987-4、SAE J2602 标准
  • 睡眠模式下的电流消耗
  • BUS 引脚上的漏电流极低
  • 数字 I/O 电平与 3.3 V 兼容
  • TxD 受显性超时保护
  • 总线短路至 VBAT 和 GND 处理
  • 温度和电压保护
  • 闪存模式,用于加速 MC 编程
  • 高 ESD 防护:±15 kV (IEC61000-4-2)
  • EMC 优化:低辐射、高抗扰度

应用


汽车车身电子与电力分配, 全LED大灯系统-多通道 LED 驱动器, 底盘域控制, 汽车电动泵和风扇 12 V

参数


类型

描述

最高 传输速率

20 kBit/s

供电电压

3.3 V, 5 V

唤醒输入

Bus Wake-up, Wake-up Pin

总线唤醒功能

Yes

标准

LIN 1.2, 1.3, 2.x, 2.2A, SAEJ2602

特性

INH Output, Tiny Package, EN, WK

目前计划的可用性至少到

2037

类型

LIN

系列

LIN Transceiver

认证标准

Automotive

附加功能

INH, EN, WK

静态电流

< 10 µA sleep mode

  • Infineon英飞凌 IMW65R010M2H 产品介绍
  • 采用 TO-247-3 封装的 CoolSiC ™ MOSFET 650 V、10 mΩ G2 以第一代技术的优势为基础,能够加速系统设计,从而实现成本更优化、更高效、更紧凑、更可靠的解决方案。第二代在硬开关操作和软开关拓扑的关键品质因数方面都有显著改进,适用于所有常见的 AC-DC、DC-DC 和 DC-AC 级组合。
    2026-04-14 211次
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  • CoolSiC™ MOSFET 750 V 利用了英飞凌 20 多年的 SiC 经验。它在性能、可靠性和稳健性方面具有优势,具有栅极驱动灵活性,可实现简化且高效的系统设计,从而实现最高效率和功率密度。 创新的顶部冷却封装进一步增强了CoolSiC™ 750 V 的优势,提供了更高的密度、优化的功率回路设计以及更少的系统和组装成本。
    2026-04-14 277次
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    2026-04-14 265次
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  • CoolSiC ™ MOSFET 分立器件 1200 V、60 mΩ G1 采用 TO247-3 封装,基于最先进的沟槽半导体工艺构建,经过优化,兼具性能和可靠性。这些包括 SiC 开关中看到的最低栅极电荷和器件电容水平、反并联二极管无反向恢复损耗、与温度无关的低开关损耗和无阈值导通特性。
    2026-04-14 331次
  • Infineon英飞凌 IMCQ120R078M2H 产品介绍
  • CoolSiC ™ MOSFET 分立器件 1200 V、78 mΩ G2 采用顶部冷却 Q-DPAK 封装,专为广泛用于工业应用而设计。Q-DPAK封装解决方案为客户提供了出色的热性能、更简便的组装和更低的系统成本。顶部冷却的 Q-DPAK 单开关开创了冷却、能源效率、设计灵活性和性能的新时代。
    2026-04-14 304次
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