电子元器件一站式供应链服务平台
您好,请登录
免费注册
我的订单
|
会员中心
|
4000-306-326
|
4000306326
ST意法期货
TI、ADI、ST热门现货
美光现货
海力士现货
三星存储现货
0
我的购物车
购物车中还没有商品,赶紧选购吧!
共
0
件商品
共计¥
0
去购物车
0
询价订货单
首页
品牌目录
可议价
超级爆款
热门现货
期货订购
领券中心
海外代购
代理品牌
BOM询价
h1_key
当前位置:
首页
>
新闻资讯
>
产品资讯>
英飞凌>
Infineon英飞凌 BAV70 产品介绍
BAV70
高速开关二极管。
Infineon英飞凌 BAV70 产品介绍
2026-04-14
0次
特性
适用于高速开关应用
共阴极配置
BAV70S / U:有关卷轴方向,请参见
下面的封装信息
无铅(符合 RoHS 标准)封装1)
符合 AEC Q101 要求
MDD辰达半导体功率TVS新升级:封装不变,功率倍增
上一篇
下一篇
TI德州仪器 AD724 产品介绍
最新文章
Infineon英飞凌 IMW65R010M2H 产品介绍
采用 TO-247-3 封装的 CoolSiC ™ MOSFET 650 V、10 mΩ G2 以第一代技术的优势为基础,能够加速系统设计,从而实现成本更优化、更高效、更紧凑、更可靠的解决方案。第二代在硬开关操作和软开关拓扑的关键品质因数方面都有显著改进,适用于所有常见的 AC-DC、DC-DC 和 DC-AC 级组合。
2026-04-14
206次
Infineon英飞凌 AIMBG75R050M2H 产品介绍
CoolSiC™ MOSFET 750 V 利用了英飞凌 20 多年的 SiC 经验。它在性能、可靠性和稳健性方面具有优势,具有栅极驱动灵活性,可实现简化且高效的系统设计,从而实现最高效率和功率密度。 创新的顶部冷却封装进一步增强了CoolSiC™ 750 V 的优势,提供了更高的密度、优化的功率回路设计以及更少的系统和组装成本。
2026-04-14
271次
Infineon英飞凌 BAT15-02ELS 产品介绍
这款英飞凌射频肖特基二极管是一款硅低势垒 N 型器件,片上集成有保护环,用于过压保护。其低势垒高度、低正向电压和低结电容使 BAT15-02ELS 成为频率高达 12 GHz 的应用中混频器和检测器功能的合适选择。
2026-04-14
260次
Infineon英飞凌 IMW120R060M1H 产品介绍
CoolSiC ™ MOSFET 分立器件 1200 V、60 mΩ G1 采用 TO247-3 封装,基于最先进的沟槽半导体工艺构建,经过优化,兼具性能和可靠性。这些包括 SiC 开关中看到的最低栅极电荷和器件电容水平、反并联二极管无反向恢复损耗、与温度无关的低开关损耗和无阈值导通特性。
2026-04-14
320次
Infineon英飞凌 IMCQ120R078M2H 产品介绍
CoolSiC ™ MOSFET 分立器件 1200 V、78 mΩ G2 采用顶部冷却 Q-DPAK 封装,专为广泛用于工业应用而设计。Q-DPAK封装解决方案为客户提供了出色的热性能、更简便的组装和更低的系统成本。顶部冷却的 Q-DPAK 单开关开创了冷却、能源效率、设计灵活性和性能的新时代。
2026-04-14
298次
更多资讯
海量现货,种类齐全
报价讯捷,闪电出货
原厂渠道,正品保证
批量采购,支持议价
专属客服,一对一服务
10s
温馨提示:
订单商品问题请移至我的售后服务提交售后申请,其他需投诉问题可移至我的投诉提交,我们将在第一时间给您答复
*
我的问题/建议:
*
联系电话:
上传图片(选填):
请您提交2M以内的jpg,gif,png格式文件
投诉订单号(选填):
在线客服
微信
购物车
公众号
投诉建议
返回顶部
*
订购数量:
加入询价列表
取消