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CYW43012

在产

英飞凌的 AIROC™ CYW43022是一款超低功耗单芯片组合器件,支持1x1 双频段 2.4 GHz 和 5 GHz Wi-Fi 5 (802.11ac) 和蓝牙® 5.4标准。 CYW43012 非常适合功耗至关重要的电池供电应用。2.4 和 5GHz 频段均包含片上功率放大器和低噪声放大器。

Infineon英飞凌 CYW43012 产品介绍
2026-04-14 0次

产品详情


  • 一流的能效
  • 符合蓝牙®版本 5.4 标准

特性


  • Wi-Fi 5 双频 (2.4/5 GHz)
  • 1x1 SISO
  • 高达 78Mbps PHY 数据速率
  • 两个频段均内置 PA 和 LNA
  • Class 1 (100m) 和 Class 2 (10m) 操作
  • BDR (1Mbps)、EDR (2/3Mbps)、LE (1/2Mbps)
  • 用于音频数据的 PCM
  • 声明 ID D066227
  • QDID 229700
  • 用于 WiFi 的 SDIO v2.0/v3.0、用于 BT 的 UART/SPI
  • 支持 RTOS 和 Linux/Android
  • 40 个 GPIO

应用


家庭娱乐应用的半导体解决方案, 智能扬声器设计, 健康和 生活方式, 用于物联网的互联智能 LED 照明

参数


类型

描述

15年的寿命

No

CPU

N/A

GPIO

7, 16, 16

ROM

1152 KB

SRAM

388 kByte

Wi-Fi Bandwidth

20 MHz

Wi-Fi接口

SDIO/SPI

Wi-Fi规格

Wi-Fi 4 (802.11n)

Wi-Fi频段

2.4GHz, 5GHz

产品说明

Ultra-low power Wi-Fi 4

使用寿命-延长

No

内核

Cortex M4

发布日期

N/A

合作伙伴模块

Y

天线配置

1x1

存储器

N/A

封装

FCFBGA-300, WLCSP-251, WLBGA-106

尺寸

9 × 9 mm, 3.76 × 4.43 mm, 3.76 × 4.43 mm

工作温度 范围

-20 °C 至 70 °C

工作电压 范围

3.2 V 至 4.6 V

操作系统支持

Linux, Android, RTOS

更换

CYW43022

目前计划的可用性至少到

N/A

系列

AIROC™ Wi-Fi + Bluetooth® Combos

蓝牙接口

UART/PCM

蓝牙规格

Bluetooth 5.4

螺距

0.4 mm, 0.2 mm, 0.35 mm

软件支持

ModusToolbox™

  • Infineon英飞凌 IMW65R010M2H 产品介绍
  • 采用 TO-247-3 封装的 CoolSiC ™ MOSFET 650 V、10 mΩ G2 以第一代技术的优势为基础,能够加速系统设计,从而实现成本更优化、更高效、更紧凑、更可靠的解决方案。第二代在硬开关操作和软开关拓扑的关键品质因数方面都有显著改进,适用于所有常见的 AC-DC、DC-DC 和 DC-AC 级组合。
    2026-04-14 211次
  • Infineon英飞凌 AIMBG75R050M2H 产品介绍
  • CoolSiC™ MOSFET 750 V 利用了英飞凌 20 多年的 SiC 经验。它在性能、可靠性和稳健性方面具有优势,具有栅极驱动灵活性,可实现简化且高效的系统设计,从而实现最高效率和功率密度。 创新的顶部冷却封装进一步增强了CoolSiC™ 750 V 的优势,提供了更高的密度、优化的功率回路设计以及更少的系统和组装成本。
    2026-04-14 277次
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  • 这款英飞凌射频肖特基二极管是一款硅低势垒 N 型器件,片上集成有保护环,用于过压保护。其低势垒高度、低正向电压和低结电容使 BAT15-02ELS 成为频率高达 12 GHz 的应用中混频器和检测器功能的合适选择。
    2026-04-14 265次
  • Infineon英飞凌 IMW120R060M1H 产品介绍
  • CoolSiC ™ MOSFET 分立器件 1200 V、60 mΩ G1 采用 TO247-3 封装,基于最先进的沟槽半导体工艺构建,经过优化,兼具性能和可靠性。这些包括 SiC 开关中看到的最低栅极电荷和器件电容水平、反并联二极管无反向恢复损耗、与温度无关的低开关损耗和无阈值导通特性。
    2026-04-14 331次
  • Infineon英飞凌 IMCQ120R078M2H 产品介绍
  • CoolSiC ™ MOSFET 分立器件 1200 V、78 mΩ G2 采用顶部冷却 Q-DPAK 封装,专为广泛用于工业应用而设计。Q-DPAK封装解决方案为客户提供了出色的热性能、更简便的组装和更低的系统成本。顶部冷却的 Q-DPAK 单开关开创了冷却、能源效率、设计灵活性和性能的新时代。
    2026-04-14 304次
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