h1_key

当前位置:首页 >新闻资讯 > 产品资讯>英飞凌>Infineon英飞凌 CYW20829B0-P4EPI100 产品介绍

CYW20829B0-P4EPI100

现货,推荐

CYW20829B0-P4EPI100 是一款完全集成的蓝牙® LE 无线模块。CYW20829B0-P4EPI100 包括板载晶体振荡器、无源元件、闪存和 CYW20829 - 具有业界最佳范围的蓝牙® LE 5.4 MCU、专用于应用和 CAN FD 的 ARM ® Cortex ® -M33。 CYW20829B0-P4EPI100 通过射频焊盘输出支持外部天线。

Infineon英飞凌 CYW20829B0-P4EPI100 产品介绍
2026-04-14 0次

产品详情


  • 业界最佳的覆盖范围和抗噪性能
  • 使用蓝牙® LE 5.4 验证您的设计
  • 使用模块减少射频设计工作量
  • 使用经过认证的模块快速上市

特性


  • 蓝牙® LE 5.4 MCU
  • 96 MHz ARM ® Cortex ® -M33
  • 1024 KB SFlash / 256 KB SRAM
  • 发射功率:高达 +10 dBm
  • 强大的接收灵敏度:-106 dBm
  • 完全符合蓝牙® SIG 认证
  • FCC、ISED、CE、MIC
  • 26 个可编程 GPIO
  • 14.5 x 19 x 1.95 毫米
  • 通过 RF 焊盘连接外部天线
  • 最高工作温度:85°C

参数


类型

描述

15年的寿命

Yes

ADC (#,最大分辨率@采样率)

SD(1, 12bit ENoB (audio), 11 bit ENoB (DC), 12MHz Clock

CAPSENSE™

No

CPU内核

96MHz

GPIO

26

I2C

2

PDM

2

PWM

7

ROM

64

SPI

2

SRAM

256 kByte

UART

2

V 范围

2.75 V 至 3.6 V

串行通信模块

3

主CPU内核

Arm® Cortex®-M33

使用寿命-延长

No

发布日期

31-03-2024

基硅

CYW20829

天线类型

External - RF pad

尺寸(X mm x Y mm x Z mm)

14.5 x 19 x 1.95 mm

工作温度 范围

-40 °C 至 85 °C

扩展范围

Yes

电极片

41

目前计划的可用性至少到

31-03-2039

系列

AIROC™ Bluetooth Modules

蓝牙EDR 2MBPS RX SENSITIVITY

N/A

蓝牙EDR 2Mbps TX POWER

N/A

蓝牙LE RX SENSITIVITY

–106.0 dBm

蓝牙LE TX POWER

10 dBm

蓝牙LE数据速率

2 MByte/s

蓝牙LE

Yes

蓝牙经典

No

辅助CPU内核

Arm® Cortex®-M33

闪存

1024 kByte

  • Infineon英飞凌 IMW65R010M2H 产品介绍
  • 采用 TO-247-3 封装的 CoolSiC ™ MOSFET 650 V、10 mΩ G2 以第一代技术的优势为基础,能够加速系统设计,从而实现成本更优化、更高效、更紧凑、更可靠的解决方案。第二代在硬开关操作和软开关拓扑的关键品质因数方面都有显著改进,适用于所有常见的 AC-DC、DC-DC 和 DC-AC 级组合。
    2026-04-14 211次
  • Infineon英飞凌 AIMBG75R050M2H 产品介绍
  • CoolSiC™ MOSFET 750 V 利用了英飞凌 20 多年的 SiC 经验。它在性能、可靠性和稳健性方面具有优势,具有栅极驱动灵活性,可实现简化且高效的系统设计,从而实现最高效率和功率密度。 创新的顶部冷却封装进一步增强了CoolSiC™ 750 V 的优势,提供了更高的密度、优化的功率回路设计以及更少的系统和组装成本。
    2026-04-14 277次
  • Infineon英飞凌 BAT15-02ELS 产品介绍
  • 这款英飞凌射频肖特基二极管是一款硅低势垒 N 型器件,片上集成有保护环,用于过压保护。其低势垒高度、低正向电压和低结电容使 BAT15-02ELS 成为频率高达 12 GHz 的应用中混频器和检测器功能的合适选择。
    2026-04-14 265次
  • Infineon英飞凌 IMW120R060M1H 产品介绍
  • CoolSiC ™ MOSFET 分立器件 1200 V、60 mΩ G1 采用 TO247-3 封装,基于最先进的沟槽半导体工艺构建,经过优化,兼具性能和可靠性。这些包括 SiC 开关中看到的最低栅极电荷和器件电容水平、反并联二极管无反向恢复损耗、与温度无关的低开关损耗和无阈值导通特性。
    2026-04-14 328次
  • Infineon英飞凌 IMCQ120R078M2H 产品介绍
  • CoolSiC ™ MOSFET 分立器件 1200 V、78 mΩ G2 采用顶部冷却 Q-DPAK 封装,专为广泛用于工业应用而设计。Q-DPAK封装解决方案为客户提供了出色的热性能、更简便的组装和更低的系统成本。顶部冷却的 Q-DPAK 单开关开创了冷却、能源效率、设计灵活性和性能的新时代。
    2026-04-14 304次
    10s
    温馨提示:
    订单商品问题请移至我的售后服务提交售后申请,其他需投诉问题可移至我的投诉提交,我们将在第一时间给您答复
    返回顶部