Infineon英飞凌_ESD112-B1-02EL_产品介绍- 万联芯城

Infineon英飞凌 ESD112-B1-02EL 产品介绍

2026-04-14 0次

产品详情

射频信号线的 ESD / 瞬态保护符合以下标准：
- IEC61000-4-2 (ESD): ±25 kV (空气/接触)
- IEC61000-4-4 (EFT): 40 A (5/50 ns)
- IEC61000-4-5 (浪涌): 3 A (8/20 μs)
最大工作电压：VRWM ±5.3 V
极低电容：CL = 0.2 pF（典型值）
低钳位电压：IPP = 16 A 时 VCL = 29 V（典型值）
极低反向电流 IR <典型值 1 nA。
尺寸极小，低至 0.62 x 0.32 x 0.31 mm3
无铅（符合 RoHS 标准）和无卤素封装

参数

类型	描述
最高 CL	0.4 pF
CL	0.23 pF
IEFT	40 A
IPP	3 A
最高 IR	50 nA
IR	1 nA
Rdyn (reverse)	1 Ω
Rdyn (forward)	1 Ω
Vcl typ. reverse (TLP 30A)	38V
Vcl typ. reverse (TLP 16A)	29V
Vcl typ. reverse (@16A)	29 V
VESD 范围	-20 kV 至 20 kV
VWM 范围	-5.3 V 至 5.3 V
保护线路	1

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ESD112-B1-02EL

双向超低电容 ESD/瞬态保护二极管

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参数

4000-306-326