Infineon英飞凌_ESD113-B1-02ELS_产品介绍- 万联芯城

Infineon英飞凌 ESD113-B1-02ELS 产品介绍

2026-04-14 0次

特性

高速数据线的 ESD / 瞬态保护高达：
– IEC61000-4-2 (ESD): ±20 kV (空气/接触)
– IEC61000-4-4 (EFT): 2.5 kV / 50 A (5/50 ns)
– IEC61000-4-5 (浪涌): 3 A (8/20 μs)
反向工作电压：最大 ±3.6 V
极低反向电流：< 1 nA（典型值）
超低电容：CL = 0.2 pF（典型值）。
极低动态电阻：RDYN = 0.45 Ω 典型值
极低钳位电压：14 V 典型值
极低串联电感，典型值低至 0.2 nH
无铅（符合 RoHS 标准）封装

参数

类型	描述
最高 CL	0.35 pF
CL	0.2 pF
IEFT	50 A
IPP	3 A
最高 IR	20 nA
IR	1 nA
Rdyn (reverse)	0.45 Ω
Rdyn (forward)	0.45 Ω
Vcl typ. reverse (TLP 30A)	20
Vcl typ. reverse (TLP 16A)	14
Vcl typ. reverse (@16A)	14 V
VESD 范围	-20 kV 至 20 kV
VWM 范围	-3.6 V 至 3.6 V
保护线路	1

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ESD113-B1-02ELS

双向超低电容 ESD/瞬态保护二极管

特性

参数

4000-306-326