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CYW55571

现货,推荐

AIROC ™ CYW55571 是英飞凌性能最高的三频 Wi-Fi 6/6E(2.4G、5G、6G)1x1 80 MHz SISO 解决方案。它具有更高的范围、更高的功率效率、更高的网络稳健性和更高的安全性,同时降低了总物料成本和电路板空间。该解决方案在拥挤的网络环境中提供高性能,并通过在 6G 频谱中运行显著降低延迟。

Infineon英飞凌 CYW55571 产品介绍
2026-04-14 0次

产品详情


  • 超越 Wi-Fi 6/6e 的性能
  • 最大限度地提高网络效率
  • 扩展边缘 AI+IoT 设备功能
  • 高品质蓝牙® LE 音频
  • 多层安全保护
  • 加快产品上市时间
  • 降低开发成本

特性


  • Wi-Fi 6/6E、三频、2x2 MIMO
  • 20/40/80 MHz,高达 600 Mbps PHY 速率
  • OFDMA、MU-MIMO、TWT、DCM
  • 多层安全保护
  • 智能共存
  • 蓝牙® 5.3、双模操作
  • 蓝牙传输速率为20dbm/13dbm/0 dbm
  • WLAN:PCIe、SDIO、BT:UART、I2S、PCM
  • 温度:-40°C 至 85°C

应用


汽车远程信息处理控制单元 (TCU), 家庭娱乐应用的半导体解决方案, 智能扬声器设计, 家用电器, 工业自动化

参数


类型

描述

15年的寿命

Yes

CPU

N/A

GPIO

15

ROM

2048 KB

SRAM

512 kByte

Wi-Fi Bandwidth

80 MHz

Wi-Fi接口

SDIO/PCIe

Wi-Fi规格

Wi-Fi 6E (802.11ax)

Wi-Fi频段

2.4GHz, 5GHz, 6GHz

产品说明

Wi-Fi 6 Combo

使用寿命-延长

No

内核

Cortex M33

发布日期

2023

合作伙伴模块

Y

天线配置

1x1

存储器

N/A

封装

FCFBGA-289, WLCSP-486, WLBGA-225

尺寸

5.32 x 5.67 mm, 12 x 12 mm, 5.3 x 5.7 mm

工作温度 范围

-40 °C 至 85 °C

工作电压 范围

3 V 至 4.8 V

操作系统支持

Linux, Android

目前计划的可用性至少到

01-01-2038

系列

AIROC™ Wi-Fi + Bluetooth® Combos

蓝牙接口

UART/PCM/I2S

蓝牙规格

Bluetooth 6.0

螺距

0.35 mm, 0.2 mm, 0.65 mm

  • Infineon英飞凌 IMW65R010M2H 产品介绍
  • 采用 TO-247-3 封装的 CoolSiC ™ MOSFET 650 V、10 mΩ G2 以第一代技术的优势为基础,能够加速系统设计,从而实现成本更优化、更高效、更紧凑、更可靠的解决方案。第二代在硬开关操作和软开关拓扑的关键品质因数方面都有显著改进,适用于所有常见的 AC-DC、DC-DC 和 DC-AC 级组合。
    2026-04-14 211次
  • Infineon英飞凌 AIMBG75R050M2H 产品介绍
  • CoolSiC™ MOSFET 750 V 利用了英飞凌 20 多年的 SiC 经验。它在性能、可靠性和稳健性方面具有优势,具有栅极驱动灵活性,可实现简化且高效的系统设计,从而实现最高效率和功率密度。 创新的顶部冷却封装进一步增强了CoolSiC™ 750 V 的优势,提供了更高的密度、优化的功率回路设计以及更少的系统和组装成本。
    2026-04-14 277次
  • Infineon英飞凌 BAT15-02ELS 产品介绍
  • 这款英飞凌射频肖特基二极管是一款硅低势垒 N 型器件,片上集成有保护环,用于过压保护。其低势垒高度、低正向电压和低结电容使 BAT15-02ELS 成为频率高达 12 GHz 的应用中混频器和检测器功能的合适选择。
    2026-04-14 265次
  • Infineon英飞凌 IMW120R060M1H 产品介绍
  • CoolSiC ™ MOSFET 分立器件 1200 V、60 mΩ G1 采用 TO247-3 封装,基于最先进的沟槽半导体工艺构建,经过优化,兼具性能和可靠性。这些包括 SiC 开关中看到的最低栅极电荷和器件电容水平、反并联二极管无反向恢复损耗、与温度无关的低开关损耗和无阈值导通特性。
    2026-04-14 331次
  • Infineon英飞凌 IMCQ120R078M2H 产品介绍
  • CoolSiC ™ MOSFET 分立器件 1200 V、78 mΩ G2 采用顶部冷却 Q-DPAK 封装,专为广泛用于工业应用而设计。Q-DPAK封装解决方案为客户提供了出色的热性能、更简便的组装和更低的系统成本。顶部冷却的 Q-DPAK 单开关开创了冷却、能源效率、设计灵活性和性能的新时代。
    2026-04-14 304次
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